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1.
<正>3月9日-11日即将于广州琶洲举办的2015中国国际标签印刷技术展览会上,北京北大方正电子有限公司将携最新研制的方正桀鹰K300S高速可变数据喷印系统亮相,向业界展示领先的可变数据喷印整体解决方案。方正桀鹰K300S高速可变数据喷印系统将继承方正桀鹰喷印系统一贯的稳定性,不仅具备较高的印  相似文献   
2.
《广东印刷》2015,(3):72-73
<正>近年来,互联网相关技术的跨越式发展,使得科技与出版的融合日益紧密,传统出版与数字出版的创新融合,使盈利模式逐渐清晰,政府的支持力度也愈发强劲。2015年,"互联网+"成时代热词,行业应用典范相继涌现。5月7日,一场汇集数字出版界行业智慧的分享之旅在上海正式启动,方正电子  相似文献   
3.
近年来正电子湮没技术发展很快。它已经广泛地应用于各种领域中,在某些领域如金属及合金的研究中几乎成为一种常规的手段。 正电子湮没实验技术有三种主要的方法即寿命测量、能量的多普勒展宽测量、角关联测量。其中的寿命测量从概念上讲是比较直接的,但是从仪器设备和它的合理使用上讲,寿命测量是三个正电子方法中最为复杂的。 对于正电子寿命测量所使用的正电子寿命谱仪来说,谱仪的分辨率是最为重要的指  相似文献   
4.
5.
正电子湮没多普勒展宽能谱测量和分析了若干急冷淬火制备的薄带,表明软磁Fe基纳米晶合金中的缺陷(自由体积)远多(大)于其晶化前的非晶态;能够晶化成纳米晶的Fe基非晶制备态材料中的缺陷也多(大)于类似成分但又不能晶化成纳米晶的非晶态材料中的缺陷;Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5b9.0合金的急冷淬火制备态在热处理过程中,低温退火时缺陷减少,高于200℃的退火导致缺陷增加,纳米晶化后的进一步退火缺陷基本不增加;Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5B9.0合金纳米晶化后,在所选定的测量条件下没有发现正电子湮滑参数时间,温度的变化,说明该材料缺陷结构相当稳定。  相似文献   
6.
正电子湮没方法研究了新型超微晶软磁合金的微观结构缺陷,样品选用的是在不同温度下退火的Fe81P12C3Cu1Mo0.5Si2.5合金,结果表明,合金的微观结构构陷大小,密度随退火温度有规律地变化,这种现象可能与非晶的晶化过程有关。  相似文献   
7.
正电子湮没技术研究了七种铁基非晶态合金,结果表明铝含量高的合金的正电子湮没参数大于铝含量低的合金,意味着铝的存在会造成铁基非晶态合金微观结构的不均匀性,很可能是较多的类空位缺陷出现。  相似文献   
8.
王文华  王天民 《核技术》1997,20(3):129-133
将最新的基于Laplace变换的大型正电子寿命无约束解谱程序CONTIN,在保持运算精度和运算速度的条件下,成功地移植于个人微机,移植后的程序能在微机保护模式下运行,突破了DOS640K内存的限制,经正电子漂没实验中常用标准样Al及典型高分子材料聚四氟乙烯寿命谱拟合验证,结果准确可靠。  相似文献   
9.
测量了Cu-23at%Zn-10at%Al合金四种热处理制度后时效过程中的Doppler展宽能谱线形参数及时效前后的恢复率,表明尽快消除第一次高温淬火所不可避免地给试样引入的过饱和空位对避免热弹马氏体稳定化是十分关键的。  相似文献   
10.
詹娟  刘光廷 《电子器件》1992,15(2):92-94
硅/硅键合是硅功率器件,功率集成电路以及集成传感器衬底制备新技术之一。键合界面的缺陷直接影响器件性能。我们采用正电子湮没技术对N/N~+硅键合片界面缺陷进行了研究。由正电子湮没谱可知:键合引入了界面缺陷,但其缺陷密度小于热扩散形成的N~-/N~+片而引入的缺陷。界面缺陷主要是一些复杂的空位团和微型空洞组成。而且在不同的退火温度下,缺陷状态不同,在高于键合温度下退火。可使键合片具有与原始硅片相近的特性。  相似文献   
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