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2.
The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively. 相似文献
3.
本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1~ 2 2 ,MIM的I U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度 相似文献
4.
Vern Solberg 《中国电子商情》2005,(6):22-24
用于指导线路板生产企业的规范文件常常缺乏重要信息,尽管通常也提供有关于印板成品的机械略图、层数、绝缘体厚度、可控的阻抗条件、焊料掩模涂层、表面镀层和标记的规格等详细信息,规范文件当然也注意到了基材,但却没有考虑其物理属性。对基材的最常见的描述就是被命名为FR-4的强化玻璃环氧合成物。 相似文献
5.
6.
本文回顾了自1964年密度泛函理论(DFT)提出而引入了被称为第一原理计算电子学近半个世纪以来,固体物理在理论、材料与实验上的进展.所选的关注点是那些和微纳电子学与集成电路技术有关的重大进展.内容分为固体理论与计算电子学、低维与超导材料两个部分.硅基CMOS集成电路在经历了本文涵盖的同一历史时期中令人瞠目的高速发展后,无论在研究与产业上都处于一个新发展阶段的十字路口.通过回顾作为现代信息工程基石的固体器件与理论的进展,可以对今后集成电路的发展趋向提供一个分析参考. 相似文献
7.
8.
李林林 《高科技纤维与应用》2005,30(5):55
本实用新型提供一种陶瓷碳纤维电热元件,其结构是由电热元件壳体、绝缘体、碳纤维电热元件和绝缘端头,其特征在于碳纤维电热元件、绝缘体和绝缘端头固定电热元件壳体之中,绝缘端头设置在碳纤维电热元件壳体的两端。本实用新型的陶瓷碳纤维电热元件和现有技术相比,具有工艺设计合理,结构简单,易于加工,使用方便,热效率高,使用寿命长,使用温度范围宽及应用范围广等特点,因而,具有很好的推广使用价值。 相似文献
9.
在电器设备中,导体和绝缘体是相互制约又相互依赖的对立统一关系。优异的绝缘体既是导体材料正常发挥性能的先决条件,也是导体材料遇到恶劣工作条件时的安全屏障。坚持绝缘材料质量优先的原则,确立绝缘件对母线槽质量一票否决的制度,对提高我国电器设备整体技术等级、推动电器产品升级换代、加速我国机电产品与国际接轨、实现电器产品的绿色革命具有重大意义。 相似文献