集成电路 流量传感器

木文介绍了硅集成液体流量传感器的结构、工作原理和新颖的背面敏感封装技 术? 理论和实验结果表明, 这种传感器具有很高的灵敏度, 特别适合于液体小流量的测量     

涂胶设备背面冲洗功能的开发与研制

本文根据涂胶设备在加工制品过程中所遇到的制品背面沾污问题，提出改进措施，并根据设备的具体情况，增加了涂胶设备的背面冲洗功能。使制品在涂胶过程中，及时地对制品背面进行冲洗，从而保证了制品背面的洁净度，对提高产品质量和提高产品的成品率有非常重要的意义，同时对开发一些技术要求较高的新品也有深远的影响。     

一种新型背面接触式H~+-ISFET

简要地介绍了氢离子敏场效应晶体管(H~+-ISFET)的基本结构和工作原理,提出了一种新型背面接触式H~+-ISFET。对该结构在版图、工艺设计中的有关问题,进行了探讨。最后指出:它在pH值的测量中有较好的实用价值。     

女性服装颈背部设计研究

服装的设计重心常常在人的正面。背部是运动肌肉比较多的部位，一般注重功能性和舒适性．而很少加入别出心裁的设计。这使得一件漂亮的衣服在翻转到背面以后，显得寡然无味。但是一件正面和背面的设计份量相同的服装，容易显得过分隆重和繁琐；只突出背面则更令服装看上去不自然，本末倒置。这时如果在服装的颈背部下功夫，也许会使服装出现新的亮点。     

Alcoa柔性包装公司开发收缩套筒标签

Alcoa柔性包装公司最近开发了50μm PETG背面印刷式收缩套筒标签，该标签采用能随标签倾斜而变色的乾扰式“触发”(flip)油墨，具有白色珠光表面印刷特色，可增加图形深度。这些专用印刷工艺适用于PETG、OPS和PVC基材。Alcoa标签印刷专家可提供各种订制服务，以满足特定的标签设计，增强市场影响力。此外，公司还提供封盖专业技术，包括由Alcoa封盖系统推出的半透明蓝色无衬垫瓶盖。该瓶盖无需采用瓶盖衬垫，在高速封盖机下运行良好，瓶盖下采用激光标记，便于产品促销。     

锅炉压力容器制造常用背面保护方法探讨

<正>在锅炉和压力容器制造中,存在很多对氧化、氮化非常敏感的金属和合金(例如马氏体耐热钢、钛及其合金等)或者散热慢、高温停留时间长的材料(例如不锈钢),一般焊缝正面和附近的保护比较容易实现,但是在焊缝的背面,受结构及经济性等因素的限制,往往各有利弊。本文介绍和分析了焊缝背面的保护方法。     

由背面工艺导致的3.3-kV NPT-IGBT阳极注入效率降低效应的实验研究

The anode injection efficiency reduction of 3.3-kV-class non-punch-through insulated-gate bipolar transistors (NPT-IGBTs) due to backside processes is experimentally studied through comparing the forward blocking capabilities of the experiments and the theoretical breakdown model in this paper. Wafer lifetimes are measured by a μ-PCD method, and well designed NPT-IGBTs with a final wafer thickness of 500 μm are fabricated. The test results show higher breakdown voltages than the theoretical breakdown model in which anode injection efficiency reduction is not considered. This indicates that anode injection efficiency reduction must be considered in the breakdown model. Furthermore, the parameters related to anode injection efficiency reduction are estimated according to the experimental data.     

GaN功率MMIC背面通孔工艺优化及可靠性分析

介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔底的柱状生成物。随后的可靠性测试测得圆片通孔的平均电阻值为6.3 mΩ,平均电感值为17.2 nH;对通孔样品在0.4 A工作电流175°C节温下进行了工作寿命试验,200 h后通孔特性无明显退化。     

Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究

对比研究了夹层结构N i/P t/N i分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性。实验结果表明,在600~800°C范围内,掺P t的N iS i薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100~150°C。依据吉布斯自由能理论,对在N i(P t)S i薄膜中掺有2%和4%的P t样品进行了分析。结果表明,掺少量的P t可以推迟N iS i向N iS i2的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性。最后,制作了I-V特性良好的N i(P t)S i/S i肖特基势垒二极管,更进一步证明了掺少量的P t改善了N iS i肖特基二极管的稳定性。     

利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法

提出了一种解决大高宽比SU8结构的新方法.该方法是将SU8胶涂在一块掩模上,紫外光从掩模的背面照射,这样SU8胶的曝光将从底部开始,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量,从而很容易控制曝光剂量和SU8胶结构的内应力.实验结果表明,该方法能够得到高宽比为32的SU8结构,而文献报道的SU8胶结构的高宽比最大仅为18.