半导体量子点最低导带态的量子限制效应

采用最新计算方法和半导体体材料传统量子计算结果,系统研究了14种半导体(Si,Ge,Sn,AlSb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdTe)的立方量子点,得到了最低导带态的量子限制效应结果,我们把量子点对尺寸的依赖关系分为三类并详细讨论了它们的差别。     

奥爱斯"BS系列"地拉式银幕移动演绎的好帮手

目前，投影机的运用越来越普遍，无论在商务、文教、医院、媒体、还是娱乐等场合，采用能带来高清晰大画面投影机的比比皆是。除了投影机自身素质会决定投影效果之外，投影幕也对投影效果起着举足轻重的作用。通常所见的天花板吊装电动式或手动式投影幕，比较合适装置于固定场所，如私     

异质谷间转移电子器件的计算机模拟

使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组，得到了直流工作时器件内的电场分布、双能谷中载流子的布居以及两个能谷的电流分布。这些结果正好和常规Ｇｕｎｎ器件相反，说明了两种器件的不同工作机理。最后通过对低Ａｌ组份势垒结构的计算说明了Ｘ谷电子注入对器件工作的重要作用。     

短周期超晶格AlP／GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁

介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率，并推导了该几率的表达式。     

量子阱红外探测器能带结构的计算

利用电子波在阱与垒的界面上的反射及干涉效应，计算了量子阱红外探测器(QWIP)的能带结构，并对其适用性进行了分析和讨论。通过与K-P模型比较发现，本方法对计算较宽势阱(阱宽大于4nm)的量子阱结构的电子态适合。在垒宽和阱宽不变条件下，用两种方法计算得到的AlGaAs／GaAs量子阱材料中Al组分x与吸收峰值波长λp的关系曲线基本相同。结果说明，在较宽的范围内，本方法对QWIP能带结构的计算是适用且简便的。     

中高档耳机导购——滋“音”补“耳”

不同的音乐能带给我们或震撼、或温馨．或快乐．或忧伤的感觉。优美的旋律能给予人一种莫大的享受．而一部好的耳机对我们的耳朵来说，无疑是最佳的“滋补品”——纯净真实的音色．丰富的空间感和准确的方位感，使聆听者很容易进入一种“旁若无人”的境界……     

新型蓝绿发光材料ZnSe／BeTe超晶格的能带剪裁

由于器件的快速退化，101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制，发现在强电流注入的半导体激光器中，热退化具有重要影响。研究表明，用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金（如ZnMgSSe）只能对ZnSe中的电子有效地限制，无法对空穴很好地限制;而对BeTe，却只能对空穴进行有效的限制，无法对电子很好地限制。这导致ZnSe（或BeTe）活性层空穴（或电子）漏电发热，引起退化。本文提出以ZnSe／BeTe超晶格为蓝绿发光层，并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响，考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。     

能带理论在LED发光过程中的应用

本文通过能带理论分析了半导体p-n结处能带发生弯曲的原因。继而通俗、简要地说明发光二极管（LED）的微观发光机理，然后提出了制作LED所用材料的选择原则：由材料所具有的适当带隙来保证辐射光的频率或光色。