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1.
制作了2种形式的铟凸点:即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球。同时对比了铟柱和铟球2种凸点的剪切强度,测试结果表明铟球剪切强度为5.6MPa,铟柱的剪切强度为1.9MPa,前者约为后者的2.9倍。对铟凸点微观结构的X光衍射分析发现:铟柱剪切强度低是织构弱化所致;铟球剪切强度高是由于回流破坏了铟柱的理想(101)丝织构模式,从而提高了铟球的剪切强度。 相似文献
2.
The photonic quantum ring (PQR) laser is a three dimensional whispering gallery (WG) mode laser and has anomalous quantum wire properties, such as microampere to nanoampere range threshold currents and √T‐dependent thermal red shifts. We observed uniform bottom emissions from a 1‐kb smart pixel chip of a 32×32 InGaAs PQR laser array flip‐chip bonded to a 0.35 µm CMOS‐based PQR laser driver. The PQR‐CMOS smart pixel array, now operating at 30 MHz, will be improved to the GHz frequency range through device and circuit optimization. 相似文献
3.
4.
The key to the success of flip‐chip technology lies in the availability of sucessful underfill materials. However, the reliability of flip‐chip technology using current underfill materials is generally found to be lower than that of conventional wire‐bond connection packaging materials such as epoxy molding compound (EMC) because of the high coefficients of thermal expansion (CTE) and moisture absorption of cured underfill material. In this study desbimide (DBMI), which has a low melting point (about 80°C), was used in the underfill materials as a cohardener. As a result, DBMI‐added underfill can show excellent thermal reliability, which is due to the superior properties of the CTE, the elastic modulus, and water resistance. When the properties of a 2 wt % DBMI‐added underfill were compared with those of a typical underfill (epoxy/anhydride), the CTE value was reduced to less than one‐half at the solder reflow temperature (about 200°C), the elastic modulus was reduced to less than one‐half in the temperature region below the glass‐transition temperature, and the water resistance was improved twofold. © 2002 Wiley Periodicals, Inc. J Appl Polym Sci 83: 2617–2624, 2002 相似文献
5.
一种基于SIFT算法的图像镜像变换识别方法 总被引:1,自引:0,他引:1
SIFT(scale invariant feature transform)算法提取的图像特征对图像自身的镜像变换匹配精度不够。针对此问题,对SIFT算法进行了改进,提出FI-SIFT(flip invariant SIFT)算法:利用纵坐标方向的梯度初步判断图像是否为镜像变换,若是则把特征向量映射为极坐标,对极坐标进行重组后,再逆变换到直角坐标系,更新特征向量;然后基于欧式距离匹配两幅图像中的关键点。实验结果表明,采用FI-SIFT算法提取的图像特征进行镜像变换匹配,匹配精度有了很大提高,由改进之前的0.6上升到0.9。 相似文献
6.
大型储罐倒装法施工立缝气电立焊工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
新疆油建在50 000 m3浮顶储罐倒装法施工和100 000 m3外浮项储罐倒装法施工时,由于国内通用的背面加水冷铜衬垫的立焊气电立焊焊接工艺和焊机不适用,开发了CO2半自动焊打底,气电立焊焊接一次成形的焊接工艺.通过现场运用,CO2气体保护焊打底和气电立焊组合的焊接工艺操作简单,工效高,成形好,焊接合格率在98%以上,填补了一项大型储罐倒装法施工立缝自动焊接工艺的空白. 相似文献
7.
8.
9.
倒装焊器件与常规的引线键合结构不同,现行的DPA标准不能完全适用于倒装焊结构.结合现有标准和倒装焊器件结构特点,以某塑封倒装焊集成电路器件为例,提出一套经过试验验证的、实用性强的倒装焊器件DPA试验流程.在原来标准的基础上提出了对BGA焊球材料成分分析、底充胶检查的超声扫描要求、芯片凸点结构检查等一些新的DPA要求.BGA焊球材料成分分析是使用能谱分析实现的,而芯片凸点结构检查则是通过对器件进行研磨开封实现的.经过试验验证,该流程方案可用于倒装焊集成电路器件的实际DPA工作. 相似文献
10.
基于圣维南原理,采用全局模型和子模型相结合的建模方针,建立倒装芯片封装的有限元模型.分析热循环条件下微铜柱凸点的应力及应变分布,研究高密度倒装芯片封装微铜柱凸点的失效机理,对关键微铜柱凸点的裂纹生长行为进行分析.结果表明,距芯片中心最远处的微铜柱凸点具有最大的变形与应力,为封装体中的关键微铜柱凸点;累积塑性应变能密度主要分布在关键微铜柱凸点的基板侧,在其外侧位置最大,向内侧逐渐减小,这表明裂纹萌生在基板侧微铜柱凸点外侧,向内侧扩展,试验结果与模拟结果相一致. 相似文献