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1.
Mg-Si基热电化合物的研究现状 总被引:1,自引:0,他引:1
重点综述了Mg-Si基热电化合物的基本特性,该体系热电材料的制备方法与掺杂改性的研究进展,并提出了要重点解决的问题。 相似文献
2.
本文阐述了语音合成专用集成电路(ASIC)的数字信号处理原理.采用波形自适应增量调制编码方法,研究并解决了语音信号的压缩与加密.用半定制标准单元CAD设计方法,CMOS工艺,完成了32K ROM 6秒语音ASIC芯片的设计. 相似文献
3.
实现各类目标和背景下动态场景的计算机编辑和生成,首先应对组成动态场景的要素进行分析,即目标,目标运动规律和特殊事件四个要素,然后通过编程由四个模块完成相应功能。目标,背景编辑模块可对目标,背景图像进行各种处理,并对重要特征量进行计算,运动路径模块可指定目标的运行规律,包括路线,大小和角度变化等。特殊事件模块可加入独立目标的各类典型事件,如运动的干扰物等。最后通过动态场景合成由计算机自动生成所需的动态场景图像。所需的原始目标,背景图像来源于图像数据库管理系统,通过索引项可便携地找到。 相似文献
4.
三维合成炮叠前深度偏移 总被引:3,自引:2,他引:1
对国际上标准的SEG/EAEG模型进行了三维合成炮叠前偏移研究。与三维单炮叠前深度偏移不同 ,三维合成炮叠前偏移有一个叠前数据的合成过程 ,由于合成后数据量大大减少 ,所以合成炮偏移的计算量要比单炮偏移小得多。阐述了三维合成炮叠前偏移的实现过程 ,给出了相应公式。对SEG/EAEG盐丘模型的一个数据集进行了MPI并行计算 ,取得了良好的成像效果。所作的较多计算表明了三维合成炮叠前偏移的正确性和有效性 ,这为野外实际数据的三维叠前深度偏移提供了另一条有效途径。 相似文献
5.
6.
以棕刚玉、Al、Si、Al2O3为原料、采用一步工艺合成了Sialon/刚玉复合材料.研究了一步合成工艺条件下添加剂对复合材料组织、性能以及复合材料中N含量的影响.结果表明,当氮化温度超过1330℃,氮化时间超过8h后,添加Si3N4/AlN的材料中N含量基本上达到饱和值,添加Si3N4/AlN可以降低Sialon相的合成温度;1230~1280℃是一个重要的前期氮化温度,添加Si3N4/AlN的材料在该温度可完成整个氮化反应的94.24%,早期对Al、Si的充分氮化有利于Sialon相的生成和晶形完整发育. 相似文献
7.
研究用合金化Ag-Cu-Ti粉、Ti粉、C粉组成的混合粉末真空无压钎焊再结晶SiC陶瓷和Ti合金,采用X射线衍射、扫描电镜和能谱仪对接头的组织结构进行了分析.结果表明:在67.6%Ag-26.4%Cu-6%Ti(质量分数)粉末中加入相当于15%~30%TiC(体积分数)的(Ti C)粉末(Ti与C摩尔比为1:1),经920℃,30 min真空钎焊,Ti和C原位合成TiC,形成以TiC晶粒强化的连接良好的复合接头;形成的TiC分布于Ag相、Cu-Ti相中;TiC的形成明显降低了接头的热应力.过量的(Ti C)粉末则导致反应不完全,容易在连接层中产生孔洞,影响接头强度;焊接过程中,Ti由钛合金扩散进入连接层,Cu也有部分从连接层中扩散进入钛合金. 相似文献
8.
送粉激光熔覆合成制备WC/Ni硬质合金涂层及其耐磨性 总被引:9,自引:0,他引:9
借助同轴送粉法将W/C/Ni元素混合粉末送入熔池,利用激光熔池中热力学和动力学条件,在优化材料威分和激光熔覆工艺参数条件下可以直接反应合成出WC颗粒,形成以WC/Ni为主的复合涂层。熔覆层中含有WC,CW3,α-W2C,W2C,Fe6W6,C,FeW3C,W3O,C等相。添加2wt%的Cr3C2可以细化涂层中的WC颗粒尺寸,颗粒平均尺寸为4~6μm,硬度值为85HRA左右。激光合成制备的WC/Ni硬质合金涂层的耐磨性尚不及YG8硬质合金的耐磨性,但比渗氮处理试块的耐磨性提高了7.9倍。激光直接合成硬质合金涂层的成本低,可在零件能任何部位原位合成,形状尺寸不受限制。 相似文献
9.
10.
引入变权综合评价模型作为控制系统优化设计的目标函数,以解决多性能指标控制系统综合最优的优化设计问题。提出两个实用模型,并介绍其在控制系统优化设计中的一般办法。通过实例设计,说明该方法的可行性。结果表明,该方法在多性能指标控制系统优化设计中应用良好。 相似文献