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2.
本文报道在650℃的衬底温度下实现了MOCVD在(100)面和(111)面上生长GaAs与Al0.4Ga0.6As的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低,对制作适于光电器件的GaAs/AlGaAs量子阱层比较有利。用此技术,在GaAs非平面衬底上生长了GaAs/Al0.4Ga0.6As量子阱,并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了MCCVD外延生 相似文献
3.
本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。 相似文献
4.
吴兰 《红外与毫米波学报》2002,21(2):87-90
用垂直入射的中红外光束调制非掺杂SiGe/Si量子阱中光致子带间吸收,氩离子激光器作为子带间跃迁的光泵浦源在阱中产生载流子,红外调制光谱用步进式傅立叶变换光谱仪记录,实验中观察到明显的层间干涉效应与子带间跃迁有关的色散效应,理论和实验分析认为样品折射率变化造成的位相调制可以补偿吸收所造成的幅度调制。 相似文献
5.
6.
7.
介绍了间接跃迁的半导体AlP与GaP形成的超晶格,由于零折叠效应,实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变,从而增加了带间的光跃迁几率,并推导了该几率的表达式。 相似文献
8.
给出了具有二三个量是的In1-xGaxAsyP1-y/InP张应变量子阱材料的光荧光谱及x射线双晶衍射摇摆曲线,指出了荧光峰为量子阱中导带子带和阶带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系,理论计算和实测结果基本一致。 相似文献
9.
1.3μm应变MQW增益耦合的DFB激光器,在温度高达120℃时实现了单模和高功率工作。由于增益耦合效应,使两种布拉格模式存在着很大的模态端面损耗率,从而使激射波长保持了稳定,通过室温时的激射波长对材料益峰值的长波长侧的失谐,使阀值电流受温度的影响很小,这就有效地补偿了较高温度时的波导损耗。在某些温度范围内(取决于失谐值),能实现无限特性温度T0。 相似文献
10.