Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体生长和基本特性

Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体作为一种新的激光材料，可以用中频感应加热提拉法生长。X射线粉末衍射分析表明它的结构与Nd^3 :YVO4晶体结构相同，它的晶格常数介于YVO4和NdVO4晶格常数之间。用ICP光谱法测定晶体中Nd^3 含量为0．8at％，分凝系数为0．8，与Nd^3 :GdVO4晶体中Nd^3 的分凝系数0．78相当；用称重法测定其密度为5．00g／cm^3；用稳态纵向热流法测出其室温热导率为12．5W／mK。实验表明Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体有希望作为高功率ID泵浦激光晶体材料。     

固溶体及其应用

固溶体也称固态溶液,即一种物质(溶质)的质点溶于另一种物质(溶剂)形成单一、均匀的固相体系。它普遍存在于无机固体材料中,材料的物理化学性质随着固溶程度的不同可在一个较大范围内变化。现代材科研究经常采用生成固溶体来提高和改善性能。在功能材料、结构材料中都离不开它,它的应用越来越广泛。固溶体现已成为材料科学工作者研究的重要课题。     

膨化硝酸铵晶体特性研究

膨化硝酸铵是一种改性硝酸铵晶体,具有显著自敏化特征,成功应用于各类膨化硝铵炸药及震源药柱中.在膨化剂(表面活性剂)的作用下改善了膨化硝酸铵的物理性能和晶体结构及其特征.本文通过硝酸铵固体表面接触角的测量,算出了膨化硝酸晶体表面能;利用差热分析(DSC)技术给出了膨化剂对硝酸铵晶变的影响;采用x射线衍射分析了膨化硝酸铵晶体的晶格特性.     

最快晶体管的频率接近太赫兹

Robert J.Mears是用于宽带互联网的铒掺杂光纤放大器(EDFA)的发明者。他在寻找将光器件和波导结合到硅中的方法时,发现了一个有趣的结果:一种特殊的硅超晶格结构可以加速某一个     

InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究

为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA)，将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构，避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品3在80～125mA电流范围内，获得了偏振灵敏度≤0．6dB．最小可达0．1dB；较大的电流范围内FWHM值为40nm。     

短周期超晶格AlP／GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁

介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率，并推导了该几率的表达式。     

介电多层膜与人工介电超晶格的研究

近年来，铁电薄膜制备技术的迅速发展使得人工介电超晶格的生长成为现实。简要介绍了有关介电多层膜和人工介电超晶格的制备、结构和性能的研究状况，讨论了进一步研究需解决的问题。     

Design and Manufacture of GeSi/Si Superlattice Nanocrystalline Photodetector

According to Maxwell＇s theory, the optical transmission characteristics in GeSi/Si superlattice nanocrystalline layer have been analyzed and calculated. The calculated result shows that when the total thickness L is 340 nm, the single mode lightwave can be transmitted only at periodic number M≥15.5. In addition, at the direction of transmission, when the transmission distance is larger than 500 μm, the lightwave intensity is decreased greatly. Based on the above parameters, the design and manufacture of GeSi/Si superlattice nanocrystalline photodetector are carried out.     

纳米超晶格热电材料的研究进展

随着热电材料制备技术和性能研究的发展，纳米超晶格热电薄膜已受到人们的关注，简要介绍了有关纳米超晶格热电材料的结构、热电机理及制作技术，并指出了存在的问题和可能的发展方向。     

X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.