ZrO_2（Y－TZP）－Si_3N_4复合材料中抑制ZrN生成研究

研究了气氛加压烧成ＺｒＯ２（Ｙ－ＴＺＰ）－Ｓｉ３Ｎ４复合材料中抑制ＺｒＮ生成工艺问题，相组成分析表明：无论添加２０ｗｔ％工业ＺｒＯ２或者Ｙ－ＴＺＰ（３ｍｏｌ％Ｙ。Ｏ。）的氯化硅复合材料，在低于１８５０℃，３ＭＰａｋ气压力下烧成，表面无ＺｒＮ生成．通过加入有效的烧结助剂（Ｙ。Ｏａ＋ＡＩ。Ｏｓ）、增加埋粉中ＳＩＯ分压以及增加保护气氛氮气压力，适当的烧成条件等工艺措施可有效地抑制ＺｒＮ的生成．实验还证实了ＺｒＮ很容易氧化，含有ＺｒＮ的ＺｒＯ。（Ｙ－ＴＺＰ）－ＳｉｓＮ。复合材料试样经９００℃，０．ｓｈ热处理已粉碎性裂开．     

聚乙烯醇改性固体淀粉胶粘剂的研制

介绍新型固体淀粉胶的制备方法。以淀粉为主要原料，经加热催化分步氧化，再加入聚乙烯醇合成树脂改善其性能，然后用硬脂酸钠作为赋型剂。制得的淀粉胶剪切强度比泡花碱高0.01MPa。     

膜生物反应器技术处理洗浴废水的工程应用

根据洗浴废水的水质水量，设计了生物接触氧化和膜生物反应器相结合的处理工艺(水量为120m^3／d)。通过对工艺相关设计参数的选取和调试运行结果表明，该工艺具有处理效果稳定、抗冲击负荷强以及操作简便等优点。     

Preparation of NaBiO3 and the electrochemical characteristic of manganese dioxide doped with NaBiO3

NaBiO₃ crystal of high purity has been synthesized through chemical oxidization. The morphology and thermal stability of NaBiO₃ were examined with scanning electron microscope (SEM) and thermogravimetry-differential scanning calorimetry (TG-DSC). The electrochemical properties of MnO₂ electrodes with and without doping NaBiO₃ were studied through galvanostatic charge/discharge and cyclic voltammetry. The results indicate that the MnO₂ electrode doped with NaBiO₃ possesses remarkably higher discharge voltage and capacity and better reversibility than the pure MnO₂ electrode and Bi₂O₃ doping MnO₂ electrode.     

次氯酸钠氧化法测定聚丙烯酰胺浓度的研究

阐述了次氯酸钠氧化法（浊度法）测定部分水解聚丙烯酰胺浓度的反应机理，研究了聚丙烯酰胺的相对分子质量、次氯酸钠溶液浓度、反应时间对吸光度值的影响，针对大庆油田杏二中三元复合驱采出水中含有碱和表面活性剂、pH值高、黏度大、富集硫化物和亚硫酸根等特点，提出采用过硫酸铵一浊度法检测三元复合驱采出水中聚丙烯酰胺浓度。     

细鳞片石墨化学氧化法制备可膨胀石墨技术问题探讨

采用分步氧化法制备了80目细鳞片可膨胀石墨。通过L9（3^4）正交试验确定了最佳工艺条件。在液固比-5：1，C：KMnO4=1：0．12，Ⅰ H2SO4：Ⅱ H2SO4=4：1，H2SO4：H2O2=12：1（均为质量比g／g）条件下获得膨胀容积为290mL／g。对制备过程中液固比、硫酸浓度、双氧水的加入方式、可膨胀石墨烘手温度、原料粒度等因素对膨胀容积的影响以及可膨胀石墨的稳定性的改善方法进行了探讨。     

SiO32-对TiAl合金微弧氧化陶瓷层的影响

采用自行研制的脉冲微弧氧化设备,在TiAl合金表面制备了微弧氧化陶瓷层.测定了TiAl合金微弧氧化陶瓷层在高温循环氧化条件下的氧化动力学曲线。研究了在微弧氧化处理溶液中加入SiO3^2-对陶瓷层性能的影响。实验结果显示：经过微弧氧化处理后试样的高温氧化动力学曲线大致呈抛物线规律，其表面的陶瓷氧化膜具有保护性；在微弧氧化处理溶液中加入SiO3^2-后，微弧氧化处理的TiAl合金的使用温度可提高到1273K。利用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）对陶瓷层的显微结构和物相组成进行分析，发现其物相组成为含量约占80％的Al2TiO5，11％的TiO2以及9％的SiO2。这表叫SiO2能仃效抑制Al2TiO5在高温下的分解，从而大幅提高TiAl合金的抗高温氧化性。     

SBS改性沥青超热老化模式下氧化与挥发的贡献机理

利用宏观和微观分析相结合的方法,定量分析了SBS改性沥青超热老化模式下氧化与挥发的贡献机理。通过研究不同老化温度下常规三大指标,DSR流变车辙因子分别在空气氛和高纯氮气氛下老化的衰变规律,并结合傅里叶变换红外光谱微观表征手段,定量计算出SBS改性沥青超热老化过程中氧化与挥发的贡献率,得出SBS改性沥青在超热老化模式下,其老化机理是以SBS分子中的双键被氧化为主要因素,但随着超热老化温度升高,小分子挥发等非氧化因素逐渐成为超热老化的又一主要因素。宏观分析中,从普通老化的163℃到超热老化的198℃,氧化与挥发对SBS改性沥青针入度衰减的贡献率比由6∶4变为1∶1;对延度衰减的贡献率比由7∶3变为1∶1;对车辙因子的贡献率比由24∶1变为2∶1;而红外光谱微观分析中,氧化与挥发对SBS改性沥青超热老化后不饱和双键的衰减贡献率比由7∶3变为1∶1。     

济南鹊华水厂深度处理改造工程设计及运行分析

济南鹊华水厂以引黄调蓄水库为水源,原水存在低浊高藻高臭味等问题,水厂原有工艺难以有效处理。为适应国家《生活饮用水卫生标准》(GB 5749—2006)要求,水厂将"混凝—沉淀—过滤—液氯消毒"工艺改造为"中置式高密度沉淀—臭氧催化氧化—上向流生物活性炭吸附—V型砂滤—液氯消毒"工艺,改造后的净水工艺对有机物、臭味等特征污染物去除效果明显,出厂水水质稳定达标。     

Comparative studies of normally-off Al0.26Ga0.74N/AlN/GaN/Si high electron mobility transistors with different gate structures

Systematic designs to achieve normally-off operation and improved device performance for Al_0.26Ga_0.74N/AlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) grown on a Si substrate are investigated in this work. The step-by-step approach includes: (1) devising a thin AlGaN/AlN composite barrier, (2) introducing fluoride ions within the active region by using CF₄ plasma treatment, (3) growing the Al₂O₃ oxide passivation layers within gate-drain/source regions by using a cost-effective ozone water oxidization technique, and (4) integrating a metal-oxide-semiconductor gate (MOS-gate) design with high-k Al₂O₃ gate dielectric. Devices with four different evolutionary gate structures have been compared and studied. Variations of threshold voltage (V_th), Hooge coefficients (α_H), maximum drain-source current density (I_{DS, max}), maximum extrinsic transconductance (g_{m, max}), gate-voltage swing (GVS) linearity, two-terminal gate-drain breakdown/turn-on voltages (BV_GD/V_on), on/off current ratio (I_on/I_off), and high-temperature characteristics up to 450 K are also investigated.