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1.
本文回顾了PCB制造常用的环氧树脂及其增强材料的性能和用途。同时,还介绍了代用树脂材料和代用增强材料的最新进展,如改性环氧树脂、无卤树脂、Thermount、PTFE、氰酸酯等,并就其性能进行了探讨。 相似文献
2.
用动态力学(内耗)和介电方法研究了由蓖麻油(castoroil)、甲苯二异氰酸酯(TDI)、丙烯酸羟乙酯(HEMA)组成的网络(Ai)和由正己醇取代A网络中部分HEMA组成的网络Bi(i=0,1,2,3)两种网络的内耗及介电损耗,内耗峰强度随悬挂链数目增加而升高,证实了网络破坏后形成的悬挂链的运动对内耗及介电损耗峰高有明显的贡献。 相似文献
3.
以Al(NO3)3·9H2O、柠檬酸钠和多壁碳纳米管(MWCNTs,Multi Walled Carbon Nanotubes)为原料,采用水热法制备了片状和棒状γ-AlOOH/MWCNTs复合材料.研究了γ-AlOOH/MWCNTs复合材料形貌结构和水热时间对材料电磁参数及微波吸收性能的影响.结果表明:片状复合材料的介电常数高于棒状复合材料,棒状复合材料具有更好的吸波性能.片状γ-AlOOH/MWCNTs复合材料在10.32 GHz处的最小反射损耗(RL,Reflection Loss)为-29.86 dB,有效吸收带宽达到3.76 GHz.棒状γ-AlOOH/MWCNTs复合材料在7.92 GHz处的最小反射损耗RL值达到-61.05 dB,同时低于-10 dB的有效吸收带宽为3.44 GHz. 相似文献
4.
PBSZT系大功率压电陶瓷极化工艺的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为探索大功率低损耗压电陶瓷材料的最佳制备工艺,对改性锆钛酸铅压电陶瓷Pb0.9Ba0.05Sr0.05(Sn1/3Nb2/3)0.06(Zn1/3Nb2/3)0.06Ti0.44Zr0.44O3 0.5wt%MnO2 0.5wt%Sb2O3的极化工艺进行研究。结果表明,该体系的最佳极化电场为4Kv/mm,极化温度120℃左右,此时得到的陶瓷性能较佳。 相似文献
5.
6.
采用草酸盐沉淀法,以硝酸锶、硝酸钡、钛酸丁酯和草酸为原料,Dy2O3为掺杂剂,制得了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,并于1 250 ℃将其烧结成Ba0.6Sr0.4TiO3系电介质陶瓷.利用扫描电镜、X射线衍射及TH2818自动元件分析仪对Dy2O3 掺杂量为0.2%~2%的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的微观结构和介电性能进行研究.结果表明,Dy2O3的掺杂没有影响到BST陶瓷的主晶相钙钛矿结构,且一定量的Dy3+进入到BST晶格中.BST陶瓷的介电损耗随着掺杂量的增加而逐渐减小,介电常数随着掺杂量的增加呈现先增大后减小的趋势,当掺杂量为0.5%时,介电常数最大,为4 474.48. 相似文献
7.
采用草酸盐沉淀法,以硝酸锶、硝酸钡、钛酸丁酯和草酸为原料,Dy2O3为掺杂剂,制得了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,并于1250℃将其烧结成Ba0.6Sr0.4TiO3系电介质陶瓷。利用扫描电镜、X射线衍射及TH2818自动元件分析仪对Dy2O3掺杂量为0.2%~2%的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的微观结构和介电性能进行研究。结果表明,Dy2O3的掺杂没有影响到BST陶瓷的主晶相钙钛矿结构,且一定量的Dy3+进入到BST晶格中。BST陶瓷的介电损耗随着掺杂量的增加而逐渐减小,介电常数随着掺杂量的增加呈现先增大后减小的趋势,当掺杂量为0.5%时,介电常数最大,为4 474.48。 相似文献
8.
9.
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)村底上制备了末掺杂和掺铅的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了铅的加入对BST薄膜的结构和电学性能的影响。实验结果表明:随着铅的加入量的增加,BST薄膜的晶粒尺寸增大;在同一频率下,介电常数呈增大趋势。在测试频率低于50kHz时,介电常数和介电损耗急剧降低。 相似文献
10.