谁是未来趋势? 游戏本的轻薄化PK外置显卡

当笔记本也能具备足够的游戏性能时,相信绝大多数玩家都会选择它用来取代家里笨重的台式机。然而,今天的笔记本在向"游戏本"华丽转型时正逐渐衍生出两大趋势,一是在尽可能轻薄的机身里容纳高端独显;二是支持外置显卡,以确保笔记本自身具备不俗的便携性。而来自微星旗下的G S 3 0和GS70,则就是这两种思路的代表产品。     

沙钢5800m3高炉炉缸堆积治理

重点分析了沙钢5800m~3高炉炉缸堆积的成因及独特性,并对炉缸堆积治理过程进行了总结。在合理构建边沿平台的基础上,采取中心减焦和压矿的措施,并将大颗粒焦炭布到中心,将焦丁布在炉墙位置,防止焦丁滚到中心死焦堆;下部适度提高风温,增加下部热量,并保持足够的鼓风动能。最终使得中心死焦堆逐步消融,高炉燃料比从550kg/t逐步降低到507 kg/t。     

凌华科技发布4通道USB 2.0接口数据采集模块

<正>凌华科技有限公司发布新款4通道USB 2.0接口数据采集模块——USB-1210。USB-1210是目前市场上支持2MSps采样率的USB接口数据采集模块中唯一一款可支持USB端口供电的产品,兼具高采样率、高动态性能,以及即插即用便利性等特点,广泛适用于各种便携式及外接扩展量测应用,如超声波、光传感器信号量测等方面。USB-1210支持16位4通道同步     

一款紧凑增强型可变阻抗电磁带隙结构

基于传统AI-EBG结构,提出了一种小尺寸的增强型电磁带隙结构,实现了从0.5~9.4 GHz的宽频带-40 dB噪声抑制深度,且下截止频率减少到数百MHz,可有效抑制多层PCB板间地弹噪声。文中同时研究了EBG结构在高速电路应用时的信号完整性问题,使用差分信号方案可改善信号完整性。     

组合式闸板胶芯性能的正交试验和回归分析

带压作业的闸板防喷器胶芯密封结构多采用组合密封,橡胶基体和耐磨块的材料特性同时影响胶芯的密封性能。为了分析闸板胶芯的材料参数对其密封性能的影响,选择胶芯密封面上的有效接触应力和橡胶基体上最大应变能密度作为密封性能的评估指标,基于正交试验法分析影响闸板防喷器胶芯密封性能的主次因素及规律,建立了材料参数与有效应力之间的多元完全二次非线性回归模型,并分析了各参数的交互作用。分析结果表明:各因素对密封面上有效接触应力和橡胶基体上最大应变能密度的敏感性大小顺序为操作压力>耐磨块弹性模量>橡胶基体硬度>耐磨块泊松比;建立的多元回归模型的拟合剩余标准差分别为0. 513 0和0. 314 1,可以用该模型精确地分析材料参数与胶芯密封性能的关系;组合式闸板防喷器胶芯耐磨块最佳弹性模量为700～800 MPa,泊松比为0. 40～0. 47。所得结果可为组合式闸板防喷器胶芯的材料参数设计提供依据。     

关于外文字符的字体

1.正体外文字母的常用场合(1)计量单位和SI词头符号。(2)数学式中的运算符号和缩写号,如:微分号d,有限增量符号Δ,变分号δ,极限lim,行列式det,最大值max等。(3)其值不变的数学常数符号:圆周率π,自然对数的底e,虚数单位(i电工中常用j)。(4)量符号中为区别其他量而加的具有特定含义的非量符号和非变动性数字符号角标,如势能EP,宏观总截面Σtot,转置矩阵AT等。     

南水水库泄洪洞消能防冲试验研究

在模型试验的基础上，针对南水水库泄洪洞泄流量大、落差大和下游河床狭窄的特点，在泄洪洞原设计挑流消能工左右边墙各加一块贴角体做成异型鼻坎，解决了下游挑流水舌冲击对岸山体的问题；此外，模型还进行了原有旧泄洪洞和新建泄洪洞下游局部动床试验。     

Ansys在大跨度钢结构施工验算中的应用

1·工程概况荣成体育馆是山东荣成市文体公园的标志性建筑。体育馆位于荣成市悦湖路南、海湾路西,建筑面积30670m2,工程造价2·2亿元。结构形式为空间管桁架结构。结构平面尺寸:最外圈三角形边长98·116m,结构最高处39·935m。构件采用圆管截面,圆管最大截面尺寸1524×22。2·施工方案简介(1)支撑点布置。根据结构的受力特点,共布置了三大部分支撑:第一部分位于中心三角形及中心向外的三条射线(部分节点);第二部分位于外圈的三角形(部分节点);第三部分位于最外圈圆弧(部分节点)。支撑采用四肢格构式柱,为方便卸除和保证支撑主要承受轴向力,…     

薄膜的截面TEM样品制备

薄膜材料的厚度仅为微米量级或者更薄，对其微结构的研究十分困难，许多表征方法难以采用。透射电子显微分析（TEM）是薄膜材料微结构研究最重要的手段之一。尽管采用TEM平面样品研究薄膜的微结构在样品制备方面相对容易，但由于薄膜依附于基材生长，且通常具有择优取向和柱状晶生长等微结构特征，因而采用截面样品从薄膜生长的横断面进行观察和研究，可以得到更多的材料微结构信息。但是薄膜的TEM截面样品制备过程较为繁杂，难以掌握。已有的文献主要介绍了Si基片上生长薄膜的TEM截面样品制备方法，对金属基片薄膜截面样品的制备方法介绍不多。