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1.
采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm. 相似文献
2.
3.
随机激光器的最新进展 总被引:5,自引:2,他引:3
综述了近年来随机激光器的最新研究结果,包括随机激光产生的机制,随机增益介质的制备方法,随机激光器的激励与发光特性和随机激光理论。最后,介绍了随机激光器的应用前景。 相似文献
4.
5.
6.
7.
理论和初步实验证明,利用电磁波相对于介质片的入射角度可以较好地抑制辐射干扰。对于平行极化波,当入射角θ=arc sin√ε2/(ε1+ε)2时可以穿过介质片,而对于垂直极化波则只有极少部分能量穿过。 相似文献
8.
要想使柴油机更好工作,对其工作介质-柴油,润油油,冷却液,一定要有充分认识。文章较详尽介绍了它们的特点,选用等,很为具体,可作为建设机械广大用户及设计者参考。 相似文献
9.
10.
新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献