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1.
《电子技术与软件工程》2015,(16)
氮化镓薄膜在蓝宝石、碳化硅和单晶硅等衬底上的异质生长会不可避免的产生高密度的(贯穿)位错(high-density threading dislocation)。本文首先介绍常见的刃型和螺型位错及其表征手段,随之结合国际上的学术研究案例,展开讨论了位错对于氮化镓基器件(如LED和HEMT)的光学性能(非辐射复合)以及电学性能(电荷散射及陷阱能级)的影响机制。 相似文献
2.
锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来,在新型晶体管和光电应用方面,Ge又引起了人们的重视。 相似文献
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4.
运用电子显微分析和波谱分析等方法对GH2027合金的第二相进行了研究,结果表明,合金晶界相主要是片状M6C和薄膜状M23C6,经波纹图样测得其错配度约为3%,晶内M6C和M23 相似文献
5.
6.
7.
8.
低碳低合金双相钢低温时效机理探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
探讨了不同合金元素的双相钢(F+M)经不同时效工艺处理后铁素体精细结构、显微组织变化及其对力学性能的影响,结果表明,双相钢低温时效(≤70℃)后铁素体的显微硬度时效曲线有硬度峰,这是由于铁素体中淬火空位迁移,并且聚集成位错圈,构成点阵障碍。这种点阵缺陷阻碍了可动位错的滑移,造成了摩擦硬化,宏观力学性能上表现为硬度升高,σb,σs上升。 相似文献
9.
本文利用金属薄膜透射电子显微术和X线应力测定对固溶处理及人工时效LD10合金的液压强化层进行逐层分析,了解其滚压强化机制的实质。分析结果:(1)LD10合金滚压后的表面层内存在残余压应力,虽然滚压力的变化不改变强化层的表面硬度,但能影响强化层的深度;(2)强化层内只有少量位错线,无位错缠结和胞状结构;(3)LD10合金表面层的强化效应受Mott—Nabarro机制所控制。 相似文献
10.