CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究

闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性。     

基于数据传输网络结构中的四纤双向复用段保护环的机理分析

信息化社会中人们对网络的依赖是显而易见的,因此网络的安全性是首当其冲的问题。本文以环形网络的自愈功能为切入点,分析了其中一种较为常用的自愈方式———四纤双向复用段保护环。     

预焙铝电解槽阳极钢爪自焙保护环优化技术

就目前预焙铝电解槽所用的自焙保护环的制作进行了研究．提出了优化方案，通过工业试验认为．自焙保护环的制作技术优化后．可以给企业创造显著的经济效益。     

对SDH网络保护机制的研究

随着通信和网络的不断发展,对通信传输系统的处理能力和吞吐量能力提出了更高的要求,使同步数据体系（SDH）网络趋于复杂,容量也越来越大。伴随而至的是对SDH网络的安全性更高的要求,本文就SDH网络的问题及主要的保护方法进行了研究和分析。     

漏电低短路能力强的3300 V IGBT模块

为实现满足电网应用要求的短路能力强、反向偏置安全工作区大、工作结温高的3 300 V高压绝缘栅场效应晶体管模块,提出了一种具有N型增强层的IGBT元胞结构,采用P型隔离区的元胞布局结构和台阶形场板的保护环结构的IGBT设计。基于203.2 mm（8英寸）平面栅IGBT加工工艺,制作出的芯片封装成3 300 V/1 500 A的IGBT模块。模块常温下的饱和压降(V₍C_Esat)为2.55 V,动态总损耗(E_tot)为5 236 mJ;高温150℃下的V_CEsat为3.3 V,集电极和发射极间的漏电流(I_CES)只有38 mA,Etot为7 157 mJ。在常温时,当栅极和发射极电压(V_GE)为18.5 V的条件下,模块通过了一类短路测试。在150℃下,模块通过了2.5倍额定电流的反向偏置关断测试。     

阳极钢爪炭素保护环工业应用与分析

通过应用阳极钢爪发素保护环新技术，延长阳极更换周期，降低碳耗、减少化爪，提高经济效益和社会效益。     

SDH传送网中通道保护倒换问题分析

结合OptiX SDH设备介绍二纤单向通道保护环保护倒换的实现原理,在此基础上给出常见故障的定位方法,并结合几个典型案例阐述了故障分析及处理过程。     

基于0.35μm CMOS工艺的APD器件仿真分析

提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构.采用silvaco软件对CMOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析.仿真结果表明:p阱保护环的应用,明显降低了击穿电压下pn结边缘电场强度,避免了器件的提前击穿.CMOS APD器件的击穿电压为9.2V,工作电压下响应率为0.65 A/W,最大内部量子效率达到90％以上,响应速度能够达到6.3 GHz,在400～900 nm波长范围内,能够得到很大的响应度.     

基于电解质的阳极钢爪保护环材料优化与设备研究

为了获得性价高的阳极钢爪保护环,基于清理下来的电解质进行阳极钢爪保护环制备.对比了不同粘接剂制备钢爪保护环的性能,确定出最佳配伍及工艺路线.研究指出采用经过处理的电解质与淀粉组合焙烧方案最优.并以此基础设计出阳极钢爪保护环的装置并开展保护环试制,经实验验证,所制备的保护环成本较低,孔隙率较小.