对大气压低温等离子体刻蚀聚合物薄膜的工艺研究

研究了使用两种大气压等离子体射流(APPJ)刻蚀Parylene-C薄膜所产生刻蚀区域的形貌和成分之间的差异。两种APPJ分别由单环电极装置和双环电极装置产生。由单环电极APPJ刻蚀的Parylene-C表面是非均匀的,从刻蚀区域的中心到边缘可分为三部分:区域(I)是中心区域,此处Si衬底严重受损;区域(II)是有效的刻蚀区域;区域(III)是刻蚀边界。与单环电极APPJ相比,双环电极APPJ刻蚀的Parylene的形貌要好得多。特别是在区域(I)中,Si片受到轻微损坏。X射线光电子能谱分析(XPS)结果表明:单环电极APPJ刻蚀区域的O元素原子含量多于双环电极。此外,还研究了两种APPJ的刻蚀速率,相比于双环电极APPJ,单环电极APPJ具有较高的刻蚀速率。     

北京垡头污水处理厂提标改造集约化设计方案

北京市垡头污水处理厂现状设计规模为2万m~3/d,占地面积为13 000 m~2,尾水排放执行《城镇污水处理厂污染物排放标准》(GB 18918—2002)—级B标准。根据提标改造技术要求,该工程需在不额外增加用地且不断水改造的条件下,将规模扩建至10万m~3/d,出水标准提升至北京地标《城镇污水处理厂水污染物排放标准》(DB 11890—2012)B标准。采用MBR工艺路线,通过集约化设计以及分步拆建的合理安排,实现了上述要求,单位处理水量用地指标仅为0.13m~2/(m~3·d)。     

二道河硫化铅锌矿废水分步处理与回用工艺方法探讨

研究提供了一种铅锌矿废水处理及利用技术,通过分析各处废水水质,结合选矿对水质要求,有针对性处理、回用,解决了废水回用影响选矿指标及外排污染环境的问题,既保证废水零外排,又不影响选矿指标且投资少、费用低。为硫化铅锌矿矿山废水分步处理及分质利用工艺提供了整套矿山废水处理和循环使用方法。     

等离子体刻蚀工艺控制模型分析

讨论了主因素分析法以及神经网络法在等离子体刻蚀工艺中的应用.结果表明主元素分析法可以实现对数据的压缩,而神经网络算法则显示出比传统的统计过程控制算法更好的准确性.     

三光子吸收效应对孤子对传输的影响

用分步傅里叶变换法求解含三光子吸收效应的光孤子NLS方程，研究了三光子吸收效应对孤子对在传输中相互作用的影响。研究发现，在特定条件下，三光子吸收效应能使孤子对无离合地平行传输。     

X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真

开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性。利用相同的有限元技术，对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真。结果表明，图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处，最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处。此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较，结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关。     

真空微电子荧光平板显示器件的实验研究

真空微电子荧光平板显示器件的实验研究刘杰明，李志能，陈秀峰（浙江大学信息与电子工程学系）关键词：真空微电子，反应离子刻蚀一、引言近十年来，随着真空微电子学的崛起，利用微细加工技术，使真空元器件集成化和高性能化已成为可能，一种新型场致发射阵列真空荧光平...     

单片集成电路高台面联线

介绍了ＧａＡｓ ＭＭＩＣ高台面刻蚀制备工艺方法，解决了高低台面联线问题，提高了单片集成电路性能，保证了可靠性。     

一种快速逼近真值程序算法：分步误差法

本文介绍一种从零开始逼近真值的快速方法及其在铁路圆曲线上斜交涵洞长度计算中的应用。     

高分子纳米LB膜的制备及其光刻性能研究

合成并表征了N-十六烷基丙烯酰胺（HDA）和对叔丁基苯酚甲基丙烯酸酯（BPhMA）的共聚物p（HDA-BPhMA）s。当HDA含量较高时，共聚物可在气，液界面上形成稳定，排列紧密的单分子薄膜，并可以Y型膜的方式沉积在各种固体基片上，形成多层均匀的Langrnuir-Blodgett（LB）膜。这种LB膜被成功地应用于光刻，获得了分辨率为0.5μm的LB膜图形。以该图形为抗蚀层，可将图形进一步转移至金属薄膜上，得到分辨率较高的金属图形，在图形转移的过程中，这种LB膜显示出较高的抗蚀性，有望作为纳米抗蚀薄膜材料在亚微米刻蚀领域得到应用。