HSP2125型8路输入/输出信号处理电路的研制

本文介绍了薄膜混合集成电路HSP2125型8路输入/输出信号处理电路的研制过程，重点阐述了CMOS器件具有高噪声容限和抗辐射特性。     

基于九管存储单元的嵌入式SRAM设计

为了解决深亚微米及纳米尺寸下SRAM设计在可靠性及其他性能方面所面临的挑战,在分析不同存储单元的基础上,提出了一种优化的具有高稳定性的九管存储单元,并采用9管存储阵列,设计了一款高可靠性的512×32位SRAM.基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,对电路进行仿真.实验结果表明:该SRAM在250 MHz工作频率下,存储阵列中数据的读写稳定性高,阵列功耗为7.76 mW,数据读出时间为0.86 ns,电路面积仅比采用传统6管单元增加13.5%.     

新型高可靠性低功耗6管SRAM单元设计

提出一种新型的6管SRAM单元结构,该结构采用读/写分开技术,从而很大程度上解决了噪声容限的问题,并且该结构在数据保持状态下,采用漏电流以及正反馈保持数据,从而不需要数据的刷新来维持数据。仿真显示了正确的读/写功能,并且读/写速度和普通6管基本相同,但是比普通6管SRAM单元的读/写功耗下降了39%。     

安全逻辑器件与CMOS B／T逻辑电路及其噪声容限

本文从容错计算技术的使用效果出发,将其分为故障诊断、资源冗余和故障安全三类技术。在分析传统故障安全技术的基础上,建立了一个统一的安全逻辑系统概念模型,并以此对该种系统进行了分类。作为一类扩展故障安全逻辑器件,文章重点介绍了三中取二值CMOS 逻辑电路,并参照CMOS 二值集成电路参量体系,结合实际测量结果提出了CMOS 三中取二值逻辑器件噪声容限的定义及其解法,从而为进一步完善该类新型器件的参量体系奠定了基础,同时还有利于其推广应用。     

间歇式智能抽油机控制器的研制

介绍了利用超声波检测抽油机的工作状态,从而实现 抽油机的智能间歇控制.详细说明了超声波的测量原理和 方法,着重讨论提高测量和控制精度的方法.现场测试表 明,该间歇式抽油机智能控制器节电效果明显.     

基于XDSL串扰噪声的应对技术分析研究

在DSL运行环境中,由于电缆内部线对间的非屏蔽而存在电磁耦合导致的串扰。串扰噪声造成XDSL速率下降甚至重训练,影响业务质量。本文对串扰导致的性能损失和导致重训练的原因进行分析并且就解决串扰导致稳定性问题的方法进行探讨。     

低位线摆幅的低功耗SRAM设计

本文提出了一种低位线摆幅（LVBS）的低功耗SRAM结构。这种SRAM采用电荷分享方法降低线电压幅值，在写操作时使得位线电压摆幅减少了50％，从而显著降低了位线动态功耗。同时本文还分析了由于位线电压降低带来的静态噪声容限（SNM）等问题。实验结果表明相比较常规SRAM，LVBS SRAM可以节约30％的动态功耗。     

超深亚微米无负载四管与六管SRAM SNM的对比研究

采用基于物理的α指数MOSFET模型与低功耗传输域MOSFET模型，推导了新的超深亚微米无负载四管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析模型．对比分析了由沟道掺杂原子本征涨落引起的相邻MOSFET的阈值电压失配对无负载四管和六管SRAM单元静态噪声容限的影响。     

8Transistors SRAM稳定性分析与验证

针对8transistors（8T）静态随机存储器（SRAM）存储单元的基本结构,详细研究分析了影响存储单元稳定性性能的因素。为了提升SRAM的稳定性和控制SRAM面积,提出了一种提升稳定性的同时又能有效控制芯片面积的技术方案。在SMIC 40nm工艺条件下,验证了该技术方案,实现了预期的目标,其中稳定性大约提升10%左右。     

亚65nm工艺新型p结构多米诺与门设计

利用休眠晶体管、多阈值和SEFG技术(源跟随求值门技术),设计了一种新型的p结构多米诺与门.HSPICE仿真结果表明,在相同的时间延迟下,与标准双阈值多米诺与门、标准低阈值多米诺与门和SEFG结构相比,提出的新型多米诺与门的漏电流分别减小了43%,62%和67%,噪声容限分别增大了3.4%,23.6%和13.7%.从而有效地解决了亚65nm工艺下多米诺与门存在的漏电流过大,易受干扰的问题.分析并得到了不同结构的休眠多米诺与门的漏电流最低的输入矢量和时钟状态.