PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径＞100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后，沉积速率提高了近10倍。分析认为，在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3)，而不可能是SiHn(n≤3)基团。     

一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

NoteBook知识脱贫不求人（4）：TOSHIBA篇——TOSHIBA——笔记本电脑的鼻祖

在前面几篇文章中，我们陆续给大家介绍了联想（IBM）．SONY，DELL．Panasonic这几个品牌的特色技术，在本文中，我们再去认识一下笔记本电脑的鼻祖——TOSHIBA（东芝）。[编者按]     

多晶硅太阳能电池的风险在哪里

解决能源和环境问题肯定需要包括半导体产业在内的所有人共同参与，不过不能仅看到眼前利益。靠喊口号和上项目可能会适得其反。头脑发热的后果可能是灾难性的，把风险多考虑一些总是没坏处的。     

多晶硅压力传感器灵敏温度系数自补偿技术研究

介绍了硅压力传感器的灵敏温度系数补偿原理,给出了一种在宽温度范围内采用二次补偿灵敏度温度系数的方法,实现了宽范围较高的补偿精度.具体方案是把压阻式惠斯登电桥与温度传感器、可微调多晶硅电阻集成在一个芯片上,通过优化多晶硅电阻的掺杂浓度和改变激励源的温度特性,从而实现对多晶硅压力传感器灵敏温度系数的二次补偿作用.经补偿,传感器的灵敏温度系数小于-1.5×10-4/℃,该方法的补偿温度范围为20℃～ 150℃,通用性强.     

新能源材料

微晶硅叠层量产技术面世；年产1500吨多晶硅项目在呼和浩特开工建设；东北最大多晶硅生产项目落户凌海；有研硅股同新光硅业达成合作：解决多晶硅供应瓶颈……     

江西将成为全国重要硅材料产业基地

来自江西省发改委的消息显示，江西省硅材料及光伏产业发展总体思路日前出台，高纯硅料、多晶硅锭片等6大领域成为该省该产业发展重点。根据规划，到2010年，全省硅材料及光伏产业年销售收入将突破1100亿元，成为新的经济增长极和重要支柱产业，使江西省成为全国重要的硅材料及光伏产业基地。