VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。     

“碳化硅功率半导体技术”专题前言

半导体功率器件(即电力电子器件)是电力电子技术的三大核心基础之一,被比作电力电子装置的“CPU”。现有功率器件多采用Si基或SOI基,但是受限于自身材料特性的影响,在节能与转换效率方面越来越显示出他们的局限性。为解决上述问题,半导体功率器件除了继续对传统器件进行新理论和新结构的创新研究外,也正在遵循“一代材料、一代器件、一代装置、一代应用”的发展趋势,从传统的Si基和SOI基向宽禁带半导体SiC和GaN基进行扩展和延伸。     

南源玉带河

<正>目前,《宁强县志》中的有关汉江源头记载是:"玉带河是汉江的源流,发源于宁强县西北箭竹岭水池垭。境内干流长87.5公里,流域1022.8平方公里,据史志记载,县北嶓冢山石牛洞为正源,另有源于五丁关至陈家大梁一带的石钟沟之说。近几十年,经专家多次踏勘论证,《辞海》1989年版,正式确定汉江源流为玉带河。"1994年深秋,在嶓冢山石牛洞前,我们二人躺着晒了半天太阳,懵懵懂懂揉揉眼下山,说继续"革命"。那时候年轻气盛,回到古桂旁的烈金坝,继续南行10公里从一个叫宽川的地方弃公路复东行,入     

ST STWBC:可定制的无线电池充电控制器

ST的STWBC数字控制器用于控制无线电池充电器(WBC,wireless battery charger)从发射器(TX)向接收器(RX)的电能传输,为内置无线充电手机、穿戴式装置以及采用电磁感应充电技术的电池供电产品提供灵活且高能效的无线充电解决方案。作为Qi无线充电联盟(Wireless Power Consortium)和电源事物联盟(PMA,Power Matters Alliance)两大无线充电行业联盟的成员,意法半导体完全遵守这些先进无线充电协议,并且是全球首批持有最新的Qi 1.1.2 A11标准证书的企业之一。     

应用于雷达接收机的宽阻带带通滤波器设计

介绍了交指型微带滤波器的基本设计原理,并利用ADS和HFSS软件仿真设计了通带为2.7~3.5 GHz的高陡峭度的宽阻带带通滤波器,并已应用于某雷达接收机。该方法虽然原理上基于传统公式计算、查表,但是充分利用了ADS软件强大的设计功能,直接由指标要求得到近似的尺寸,然后进行优化得到最终设计结果。测试结果表明,该方法可行有效,设计周期短,对雷达接收机滤波器设计有很强的工程指导作用。     

比亚迪半导体获国家高新技术企业认定

根据国家《高新技术企业认定管理办法》相关规定,比亚迪半导体股份有限公司春节前已通过国家高新技术企业认证,并正式收到了《高新技术企业证书》,这将进一步推动公司自主创新、自主研发的进程。荣誉之下砥砺奋进逐梦前行每一份荣誉和认可的背后,离不开比亚迪半导体将近二十年的技术支撑和沉淀,以及对产品的不断优化和持续创新。