用于铜的化学机械抛光液的研究

文中介绍了一种以碱性抛光液对铜进行全局平面化的方法 ,讨论了以 Si O2 水溶胶为磨料的抛光液在Cu-CMP过程中的化学 (络合 )作用及反应机理 ,并给出了抛光液的配比及上机实验结果。结果表明 :该抛光液用于对带有阻挡层和介质层的铜抛光 ,达到了对铜层的高去除速率和高选择比 ,取得了较好的全局平面化效果     

硅晶片双面超精密化学机械抛光

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.     

碱性阻挡层抛光液中ULK介质抛光性能的研究

研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液的SiO₂磨料质量分数和表面活性剂对多孔SiOCH薄膜(ULK介质)介电常数(k)及抛光速率的影响。所用抛光液(pH=10)主要由0%~4%(质量分数,下同)SiO₂、0.075%H₂O₂、1%邻苯二甲酸氢钾和不同质量浓度的表面活性剂组成,其中表面活性剂为非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO-9和AEO-15)、阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)和两亲性非离子表面活性剂辛基苯酚聚氧乙烯醚(OP-50)。结果表明,磨料质量分数的增大会使ULK介质的去除速率和k值都增大。聚醚类表面活性剂都能在CMP过程中很好地保护ULK介质表面,降低其去除速率,OP-50的效果尤其好。当采用2%SiO₂+0.075%H₂O₂+1%KHP+200 mg/L OP-50的抛光液进行CMP时,ULK介质的去除速率为5.2 nm/min,k值增幅低于2%,Cu和Co的去除速率基本不变。     

钢铁电抛光液Cr（Ⅵ）与Fe^3＋浓度快速测定

根据Fe~(2+)和Fe~(3+)离子在铂电极上的电化学氧化还原特性,采用DZ-I型电镀添加剂测定仪快速测定抛光液中Cr(Ⅵ)和Fe(Ⅲ)离子的浓度.实验表明,此法也适用于测定铜、铝、镍的铬酸电抛光液中Cr(Ⅵ)的浓度.     

2-氨基-5-巯基-1,3,4-噻二唑缓蚀剂结构的密度泛函计算

采用密度泛函量子化学计算方法,获得了在B3LYP/6-311 G(2d)(5D,7F)理论水平上2-氨基-5-巯基-1,3,4-噻二唑(简称AMT)4种互变异构体的平衡几何构型、能量和电荷分布,证实了4种互变异构体的所有原子处于同一平面,且有一种异构体最稳定.研究结果表明:AMT4种异构体中的环骨架具有芳香性,AMTc与Cu形成的缓蚀膜层是Cu(Ⅰ)与AMTc中的7N和2S原子分别形成共价键和配位键相互交错而成.计算了AMT4种异构体的谐振频率和红外光谱强度.     

铝材及铝制品的化学抛光处理（3）

对磷酸－硝酸－醋酸溶液、磷酸－硫酸－硝酸溶液、改型的磷酸－硫酸－硝酸溶液抛光处理工艺与磷酸基抛光液的管理作了全面的阐述。     

碱性铜抛光液在65nm多层铜布线平坦化中的应用

为适应极大规模集成电路(GLSI)集成度按摩尔定律飞速发展的需要,同时解决国际酸性化学机械平坦化(CMP)技术存在的多项问题,本文研发了以多羟多胺为螯合剂的不含副作用大的苯并三唑(BTA)的碱性铜布线抛光液.实验结果表明:研发的碱性铜抛光液在常态下对铜几乎不反应(20/min),而在常压(2 psi)CMP下,能够快速地去除铜膜,去除速率(RR)高达8 235/min(工业要求5 000/min).凹处自钝化,凸处快速率,实现了高的平坦化效率.8层铜布线平坦化结果表明,60s可消除约1.162 m的高低差,且单层图形片基本实现平坦化(高低差<10 nm),抛光后表面粗糙度低(0.178 nm),表面洁净度高.     

电流变抛光液剪切屈服特性

通过电子显微镜观察了在电场作用下电流变抛光液微粒垂直电极形成的纤维柱状微观结构。根据粒子的结合模型和粒子间的作用力,建立了电流变抛光液的静态剪切屈服应力模型,计算了粒子链的抗剪切强度。在屈服应力测试装置上进行了电流变抛光液的静态剪切屈服应力实验,得到了磨料种类、浓度和粒度对电流变抛光液的剪切屈服应力的影响规律,并通过实验对理论模型进行了验证。     

微晶、石英、光学、电子玻璃纳米磨料CMP技术的研究项目通过鉴定

2004年12月10日，天津市科委组织并召开了“微晶、石英、光学、电子玻璃纳米磨料CMP技术的研究”项目成果鉴定会．该项目针对微晶、石英、光学、电子玻璃化学机械全局平坦化(CMP)中亟待解决的机理、技术和抛光液等问题，在大量实验的基础上，确立了微晶、石英、光学、电子玻璃的CMP机理模型；采用改进型1号液为微晶、石英、光学、电子玻璃代替了目前广泛使用的对人体有害、易造成污染的丙酮、重铬酸钾和浓硫酸洗液；加入FA／O表面活性剂，加快表面质量传递，保证在凸起处与凹陷处抛光速率选择性好，从而保证了平整度，有效降低了表面粗糙度且便于清洗；     

制肥副产物制备铝合金抛光专用酸可行性研究

以制肥副产物为研究对象,对其制备铝合金抛光专用酸进行可行性研究。研究内容:(1)分析制肥副产物主要成分含量;(2)以制肥副产物为原料制备铝合金抛光专用酸;(3)进行抛光试验验证其抛光效果。结果表明:制肥副产物中五氧化二磷含量高达49%以上,且含有少量重金属元素及杂质,作为原料制备出的铝合金抛光专用酸抛光效果较好。得出结论:制肥副产物可作为制备铝合金抛光专用酸原料使用。