激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.     

掺钛蓝宝石激光晶体中夹杂物的分析

本文用大视场光学显微镜、电子探针观察和分析了掺钛蓝宝石激光晶体中夹杂物的形状、尺寸大小及元素组成，并提出消除和减少这些夹杂物的方法．     

布里奇曼法生长碲镉汞晶体的缺陷及其展望

简单介绍了布里奇曼法生长碲镉汞晶体的主要缺陷以及缺陷的控制原理，回顾了国内进行磅镉汞晶体生长的布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法（ＡＣＲＴ－Ｂ）研究的情况，并提出了进一步研究的问题。     

Irradiation Defects in Silicon Crystal

The application of irradiation in silicon crystal is introduced.The defects caused by irradiation are reviewed and some major ways of studying defects in irradiated silicon are summarized.Furthermore the problems in the investigation of irradiated silicon are discussed as well as its properties.     

多晶FeS2薄膜电学性能的研究与进展

FeS2薄膜是极具研究价值的光电转换材料，改善光电转换效率是主要研究方向，而进一步阐明电传导规律和机制是探索改善FeS2薄膜光电转换效率有效途径的前提之一。本文概述了FeS2薄膜电学性能的研究进展，分析了硫化制备工艺及掺杂效应对FeS2薄膜电学性能的影响，介绍了晶界势垒模型、跳跃传导模型及晶体点缺陷理论等FeS2薄膜电传导相关机制，讨论了FeS2薄膜存在的问题及发展方向。     

CdSe单晶的正电子寿命研究

利用正电子湮没方法对CdSe单晶中的缺陷进行了研究，通过对不同温度下退火样品正电子湮没寿命的测试分析，表明：在CdSe晶体中存在的点缺陷主要是占优势的镉空位。由正电子湮没寿命和退火温度的关系，研究了硒化镉单晶退火时空位的迁移、合并及消失情况，确定出能减小生长中形成的空位性缺陷浓度并获得较为完整的晶格的最佳退火温度范围为650～800℃。     

钙钛矿光伏电池材料优化设计研究

为提高钙钛矿太阳能电池稳定性和转换效率,利用Keithley装置、X射线衍射仪（XRD）、Horiba-Jobin-Yvon系统、扫描电子显微镜（SEM）进行测试分析,采用相同参数对掺入GA的钙钛矿光伏材料MA86GA14PbI3和掺入MA的钙钛矿光伏材料MAPBI3组合进行比较分析,通过光学、结构和形态效应分析,发现GA可以成功地融入到PVSK晶格中,通过GA的使用,结晶度提高,证实了钙钛矿晶胞有轻微的晶格膨胀。经过PL光谱分析,GA显示SSPL强度比MA有显著提高,采用ITO/TIO2/PVSK/Spiro-Ometad/AU平面器件结构改变GA含量,结果表明GA掺入对VOC有明显的增强作用。     

急冷Cu—Cr—0.05Zr合金强化机理探讨

用ＳＥＭ与ＴＥＭ考察了急冷Ｃｕ－Ｃｒ－０．０５Ｚｒ合金中的晶体缺陷，结果表明，急冷Ｃｕ－Ｃｒ－０．０５Ｚｒ合金中的高密度位错与高浓度空位是合金强化的重要因素，固溶铬含量提高，导致形成空位集团，蜷线位错及扩展位错是强化效应进一步提高的另一重要因素。     

稀土催渗离了渗氮层中晶体缺陷的研究

用透射电镜研究了稀土催渗渗离子渗氮层中的晶体缺陷。结果表明,稀土催渗使γ′－Ｆｅ４Ｎ晶粒显著细化,晶界面缺陷的增加有利于氮原子的扩散。在γ′－Ｆｅ４Ｎ晶粒内有许多尺寸较小的空位型Ｆｒａｎｋ位错环及其蜷线位错和堆垛层错等晶体缺陷;扩散层铁素体中存在的高密度位错及位错环。大量空位的存在,以及位错吸引空位运动,是加速渗氮的主要原因。