蓬勃发展的固体发光照明市场

据相关报道，高亮度发光二极管(LED)今年的增长率将达到50％。目前，全球所有主要工业公司都在扩充其生产能力，中国大陆和台湾、韩国正在不断扩大外延晶片和芯片的加工生产能力。此外，与LED开发有关的方法和技术也不断取得新进展。     

锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。     

环球仪器推出新型Advantis^TM贴装机

环球仪器为其晶圆送料器系统增加在线晶圆增强选项以满足先进半导体装配的要求。这一在线晶圆增强功能对处理单一300mm规格晶圆尤其有效。环球仪器还为多种规格的晶圆工艺保留了晶圆送料器的离线晶片扩容能力。     

深圳光电产业跻身世界最前列

世纪晶源科技有限公司暨化合物半导体产业基地首期项目1号厂房最近在深圳光明新区正式投产，“出品”化合物半导体产业链最上游的核心性尖端原材料——外延晶片。这一全球最大的化合物半导体产业基地启动投产，标志着代表21世纪未来的我国这一民族高科技新兴产业，从深圳起步、跨越，迅速站到了世界先进水平的最前列。     

硅直接键合工艺对晶片平整度的要求

本文用弹性力学近似，给出了键合工艺对硅片表面平整度的定量要求以及沾污粒子与孔洞大小洞的关系，并用Ｘ射线双晶衍射技术和红外透射图象对键合硅片进行了实验研究。     

硅晶片双面超精密化学机械抛光

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.     

棒材自动化超声探伤时晶片排列方式的探讨

根据超声波声场特性,从超声探伤有效声束的角度,分析两种棒材自动化超声探伤时的晶片排列方式,消除常规的理解误区.