深亚微米标准单元库的设计与开发

随着深亚微米工艺技术的发展，0．18μm COMS工艺巳成为国际主流的集成电路工艺标准。国内的深亚微米工艺也日趋完善，我们首家针对中芯国际0．18μm工艺，成功设计开发了0．18μm标准单元库。本文简要介绍了0．18μm标准单元库的设计与开发。     

光纤同步网讲座（四）：光纤同步网单元设备

本文首先扼要介绍了ＳＤＨ设备主要特点，接着讨论了ＳＤＨ设备标准参考模型单元功能块组成及外部光接口标准，最后简要说明了ＳＤＨ设备的物理实现方法。     

芯原发布针对中芯国际0．15μm（G／LV）工艺技术的标准单元库

业界领先的系统级芯片智能模块供应商芯原微电子，10月10日正式发布针对中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)0．15μm一般性和低压CMOS工艺的标准设计平台。该标准平台包括标准单元库(standard cell library)，输入/输出单元库(I／O cell library)和单/双口静态存储器(single port and dualport SRAM)的存储器编译器，     

抗辐照标准单元库验证方法研究

对抗辐照单元库的验证方法进行研究。以0.5μm抗辐照单元库为例,研究抗辐射单元库的验证方法。设计了一款验证电路,对单元库进行验证,单元库功能和性能满足设计要求,抗辐射能力达到500 krad(Si)。     

读出电路数字模块设计

文章介绍了一个读出电路的数字控制模块.该模块集成了众多的控制功能,包括积分时间的调控,对面阵中指定窗口的读出,并能够支持快照读出模式和滚动读出模式之间的选择.文章中详细介绍了实现窗口功能和滚动功能的算法;电路的整体结构及端口时序,并给出了整个系统的仿真结果;最后采用上海集成电路设计中心提供的0.6μm双硅双铝标准单元库对本设计进行了电路综合,并对本设计的版图规划和实现进行了简略的说明,验证了将该设计向大规模读出电路上集成的可行性.     

一种新的标准单元增量式布局算法

提出了一种新的增量式布局方法W-ECOP来满足快速调整布局方案的要求.与以前的以单元为中心的算法不同,算法基于单元行划分来进行单元的插入和位置调整,在此过程中使对原布局方案的影响最小,并且尽可能优化线长.一组从美国工业界的测试例子表明,该算法运行速度快,调整后的布局效果好.     

基于线性规划的最小扰动标准单元合法化算法

在传统的标准单元总体布局完成之后,一个很重要的步骤是消除标准单元之间的重叠,即合法化过程.文章以对总体布局结果的最小扰动为优化目标,考虑标准单元布局合理位置的约束,通过采用线性规划建模求解,有效地解决了布局合法化问题.与启发式算法相比,该模型从理论上给出了对布局造成最小扰动的最优解.实验表明,该合法化算法在ISPD02的例子中基于mPL6的总体布局能够比Fastplace3.0的合法化结果有平均3.8%的线长减少.     

东莞理工学院

结合自然的总体布局 特殊的地段条件及高标准的设计要求,会产生独特的平面布局。东莞理工学院松山湖新校区建工、机电、化工实验教学楼由若干个系部组成,结合地段特点采用“鱼脊式”的建筑布局方式,以标准单元及公用枢纽组成相互连接,可分可合、使用灵活、方便管理、易于扩建的实验教学楼建筑群。根据需要建成长的、短的、单层的、多层的各系部教学用房,从而形成高低错落、变化丰富的总体布局。     

40nm工艺下反向窄沟道效应对VLSI电路设计的影响

反向窄沟道效应(INWE)是纳米级工艺下较为明显的版图效应,它使MOS管阈值电压Vth随着OD(扩散区)宽度的下降而下降,由此使得饱和电流Idsat提高并最终影响器件的速度.重点阐述了产生INWE的原因,同时将INWE考虑在标准单元库的设计当中.以TSMC N40LP 12T标准单元库为基础,根据INWE现象重新对电路结构(Circuit Structure)和版图(Layout)进行设计,最终能够在原有版图面积下整体性能提升5%以上,整体功耗升高控制在2%以内,从而得到有着更好PPA(Power Performance Area)指标的标准单元库器件.     

利用Astro对ePro系统进行布局布线

本文详细介绍了利用Synopsys公司的布局布线工具Astro对ePro系统进行版图设计的流程和注意事项。