首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   123篇
  免费   8篇
  国内免费   18篇
电工技术   1篇
综合类   6篇
机械仪表   1篇
建筑科学   7篇
矿业工程   1篇
轻工业   1篇
无线电   105篇
一般工业技术   2篇
冶金工业   1篇
原子能技术   1篇
自动化技术   23篇
  2024年   1篇
  2023年   2篇
  2022年   4篇
  2021年   4篇
  2020年   2篇
  2018年   2篇
  2017年   2篇
  2015年   6篇
  2014年   8篇
  2013年   3篇
  2012年   7篇
  2011年   8篇
  2010年   5篇
  2009年   6篇
  2008年   6篇
  2007年   11篇
  2006年   9篇
  2005年   13篇
  2004年   8篇
  2003年   4篇
  2002年   4篇
  2001年   4篇
  2000年   8篇
  1999年   5篇
  1998年   3篇
  1997年   1篇
  1996年   2篇
  1995年   3篇
  1994年   2篇
  1993年   2篇
  1991年   3篇
  1988年   1篇
排序方式: 共有149条查询结果,搜索用时 156 毫秒
1.
深亚微米标准单元库的设计与开发   总被引:2,自引:0,他引:2  
随着深亚微米工艺技术的发展,0.18μm COMS工艺巳成为国际主流的集成电路工艺标准。国内的深亚微米工艺也日趋完善,我们首家针对中芯国际0.18μm工艺,成功设计开发了0.18μm标准单元库。本文简要介绍了0.18μm标准单元库的设计与开发。  相似文献   
2.
本文首先扼要介绍了SDH设备主要特点,接着讨论了SDH设备标准参考模型单元功能块组成及外部光接口标准,最后简要说明了SDH设备的物理实现方法。  相似文献   
3.
业界领先的系统级芯片智能模块供应商芯原微电子,10月10日正式发布针对中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)0.15μm一般性和低压CMOS工艺的标准设计平台。该标准平台包括标准单元库(standard cell library),输入/输出单元库(I/O cell library)和单/双口静态存储器(single port and dualport SRAM)的存储器编译器,  相似文献   
4.
对抗辐照单元库的验证方法进行研究。以0.5μm抗辐照单元库为例,研究抗辐射单元库的验证方法。设计了一款验证电路,对单元库进行验证,单元库功能和性能满足设计要求,抗辐射能力达到500 krad(Si)。  相似文献   
5.
文章介绍了一个读出电路的数字控制模块.该模块集成了众多的控制功能,包括积分时间的调控,对面阵中指定窗口的读出,并能够支持快照读出模式和滚动读出模式之间的选择.文章中详细介绍了实现窗口功能和滚动功能的算法;电路的整体结构及端口时序,并给出了整个系统的仿真结果;最后采用上海集成电路设计中心提供的0.6μm双硅双铝标准单元库对本设计进行了电路综合,并对本设计的版图规划和实现进行了简略的说明,验证了将该设计向大规模读出电路上集成的可行性.  相似文献   
6.
提出了一种新的增量式布局方法W-ECOP来满足快速调整布局方案的要求.与以前的以单元为中心的算法不同,算法基于单元行划分来进行单元的插入和位置调整,在此过程中使对原布局方案的影响最小,并且尽可能优化线长.一组从美国工业界的测试例子表明,该算法运行速度快,调整后的布局效果好.  相似文献   
7.
在传统的标准单元总体布局完成之后,一个很重要的步骤是消除标准单元之间的重叠,即合法化过程.文章以对总体布局结果的最小扰动为优化目标,考虑标准单元布局合理位置的约束,通过采用线性规划建模求解,有效地解决了布局合法化问题.与启发式算法相比,该模型从理论上给出了对布局造成最小扰动的最优解.实验表明,该合法化算法在ISPD02的例子中基于mPL6的总体布局能够比Fastplace3.0的合法化结果有平均3.8%的线长减少.  相似文献   
8.
《城市环境设计》2010,(4):174-178
结合自然的总体布局 特殊的地段条件及高标准的设计要求,会产生独特的平面布局。东莞理工学院松山湖新校区建工、机电、化工实验教学楼由若干个系部组成,结合地段特点采用“鱼脊式”的建筑布局方式,以标准单元及公用枢纽组成相互连接,可分可合、使用灵活、方便管理、易于扩建的实验教学楼建筑群。根据需要建成长的、短的、单层的、多层的各系部教学用房,从而形成高低错落、变化丰富的总体布局。  相似文献   
9.
反向窄沟道效应(INWE)是纳米级工艺下较为明显的版图效应,它使MOS管阈值电压Vth随着OD(扩散区)宽度的下降而下降,由此使得饱和电流Idsat提高并最终影响器件的速度.重点阐述了产生INWE的原因,同时将INWE考虑在标准单元库的设计当中.以TSMC N40LP 12T标准单元库为基础,根据INWE现象重新对电路结构(Circuit Structure)和版图(Layout)进行设计,最终能够在原有版图面积下整体性能提升5%以上,整体功耗升高控制在2%以内,从而得到有着更好PPA(Power Performance Area)指标的标准单元库器件.  相似文献   
10.
本文详细介绍了利用Synopsys公司的布局布线工具Astro对ePro系统进行版图设计的流程和注意事项。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号