KLA-221掩模缺陷自动检测仪简介

本文简要介绍了KLA-221掩模版缺陷检查仪的组成,对其电控部分的头放大器、伺服系统,自动聚焦系统和对准系统的整体考虑及采用的技术作了较详尽的叙述。     

一种基于模版的抗仿射变换数字水印算法

文中提出了一种基于模版匹配的抗仿射变换的数字水印算法。首先对要嵌入的消息进行RS纠错编码,以增加水印提取时的抗噪能力,并在傅里叶普中频的环上且靠近十字架附近的矩形区域中嵌入水印。然后使用一个单向HASH函数来确定图像DFT变换后水印嵌入具体位置。用两条线段作为模版嵌入图像DFT变换后再做极坐标变换的域中,水印的检测及提取则采用相关系数检测。实验结果表明该算法对JPEG压缩和各种几何变换都具有较好的鲁棒性。     

掩模版复印工艺图形畸变分析与改进

批量化、低成本的掩模版复印工艺常被用于LED领域。在微米级图形的掩模版复印工艺中,受玻璃基板平面度的影响,光学衍射效应会导致图形发生畸变。为消弭复印工艺中的图形畸变,从光学衍射理论展开分析,提出通过调整光刻曝光剂量和光刻胶层厚度来提升掩模版复印工艺水平的方法。实验实现了4μm圆形图形掩模版的复印制作,结果表明该方法可以显著提升微米级图形的掩模版复印工艺水平,降低掩模版的制作成本。     

电信市场规划支撑平台系统的设计研究

全业务运营背景下,快速变化的市场竞争环境、个性多样的客户需求、层出不穷的创新产品,各方面均对电信企业市场规划的精确化、信息化、智能化管理提出了更高的要求。本文立足于作者从事电信企业中国电信广东公司市场规划工作的实际需求,对电信市场规划支撑平台系统的建设意义深入分析,提出了该系统的建设目标、技术架构、用户角色和功能结构设计方案。     

一种新的SOI射频集成电路结构与工艺

立足于与常规CMOS兼容的SOI工艺，提出了电子束／I线混合光刻制造SOI射频集成电路的集成结构和工艺方案。该方案只使用9块掩模版即完成了LDMOS、NMOS、电感、电容和电阻等元件的集成。经过对LDMOS、NMOS的工艺、器件的数值模拟和体硅衬底电感的初步实验，获得了良好的有源和无源器件特性，证明这一简洁的集成工艺方案是可行的。     

EUV掩模版在曝光过程中的热变形

极紫外光刻(EUVL)技术是实现45 nm特征尺寸的候选技术之一,产业化设备要求300 mm硅片的产率大于每小时80片(80 wafer/h),此时入射到掩模版上的极紫外光功率密度很高,掩模版上的吸收层和Mo/Si多层膜将分别吸收100%和35%的入射光能量,从而导致其热变形,引起光刻性能下降,因此必须分析和控制掩模热变形。利用有限元方法分析掩模版在不同功率密度下的热变形,结果表明,抗蚀剂灵敏度为7 mJ/cm2和5 mJ/cm2时,入射到掩模版上的光功率密度分别为259.24 W/cm2和184.38 W/cm2,掩模版图形区域x-y平面内最大变形分别为1.11 nm和0.71 nm,z方向最大变形分别为0.26 nm和0.19 nm。     

无掩模光刻技术的前景

介绍了无掩模光刻技术的现状、存在的问题和前景展望;说明了无掩模光刻技术的最大优点即是降低掩模成本;同时还介绍了电子束光刻技术及其改进。     

电子印刷网（模）版制作

6金属印刷模版的制作方法 6．1概述 金属印刷模版制造的三个主要技术是：化学蚀刻（etch）、激光（laser）切割和电铸成形（electroform）。同时,又出现了以上工艺的组合,即模版的混合技术制造工艺。     

掩模版制作工艺中典型问题探析

针对制版工艺中典型质量问题事例,分析了影响光刻掩模版的质量因素,提出了有效的解决方案,对保证掩模版质量、提高掩模版的制作水平具有指导意义。     

小型企业软件项目管理之文档管理

对于小型企业而言,由于业务量小或业务单一,软件项目的研发往往采用自行开发手段或与开发人员合作共同开发的方式,在软件开发过程中,随意性较大,缺乏规范管理,特别是对文档管理的忽视,常常给项目的实施和维护带来诸多困难。小型企业的软件项目应重视项目的文档管理,保证系统能够正常安装、使用,方便日后的维护。