基于相电流幅值分时比值的煤矿漏电保护方法

针对中性点经消弧线圈接地系统发生单相接地故障时接地点故障电流较小的问题,提出一种基于相电流幅值分时比值的煤矿漏电保护方法。该方法通过采样计算,获得线路暂态相电流互积求和比值和稳态相电流互积求和比值,分别进行暂态和稳态漏电保护,根据相电流比值较大的判据结果作出漏电保护判断结论,从而自动选出故障线路并跳闸。Matlab仿真结果表明,该方法可有效实现漏电保护,选线判断结果准确可靠。     

Si基n型GaN的欧姆接触研究

GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线，X射线衍射以及二次离子质谱分析，揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响，提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。     

接地保护装置和漏电保护开关

阐述民用住宅中接地保护装置和漏电保护形状两种电气安全保护技术各自的保护作用及其局限性，以及同时采用它们进行双重保护的优越性。     

对煤矿井下低压供电系统漏电保护漏电动作电阻值选定的探讨

本文介绍煤矿井下低压供电系统漏电保护漏电动作电阻值的选定方法,分析所存在的一些问题,提出了一种新的计算方法,得出了不同的一组漏电闭锁动作电阻值。     

压电量测系统漏电影响分析

本文通过对压电量测系统等效电路图的逐步简化,得出矩形脉冲信号的漏电方程;并对系统在各种情况下的时间常数,漏电相对误差进行了计算,最后就系统在校准和现场测试中经常碰到的几种情况,进行了定量估算,从而解决了压电量测系统在使用中的一些具体问题。     

p型GaP与Pd/Zn/Pd欧姆接触的冶金性质及界面特性

用扫描电镜、X射线衍射谱、能量色散谱及Ar~+离子溅射刻蚀的各元素的俄歇剖面分布,对Pd为基底的P型GaP的欧姆接触层的性质进行了研究。从而揭示了这种金属──半导体接触层形成良好欧姆电极的表面形貌、相变反应、界面状态及各冶金成份在界面层中的变化规律。     

Ge／Pd／n—GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析

采用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火在ｎ－ＧａＡｓ上形成了低阻欧姆接触，利用二次离子质谱技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用Ｘ＾＋和ＧｓＸ＾＋信号检测的Ｇｅ，Ｐｄ，Ｇａ和Ａｓ的深度分布。结果表明采用ＣｓＸ＾＋可以提供更准确的结果和成分信息。     

钝化处理对CdZnTe Γ射线探测器漏电流的影响

表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe探测器的性能 ,尤其对于共面栅探测器 ,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关。研究了化学钝化的工艺条件对CdZnTe表面状态的影响 ,借助原子力显微镜、电子探针和微电流测试仪等手段 ,研究了CZT表面形貌、组成等特性与器件电学性能之间的关系 ,有效地降低了器件的表面漏电流