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1.
将附有MnO_x的活性碳颗粒(MnO_x/AC)作为燃料电池(FC)的阳极,以研究锰氧化物(MnO_x)催化氨氮氧化过程的电子转移路径。结果表明,有MnO_x附着的活性碳在FC(MnO_x/AC-FC)中对NH_4~+-N的去除率比原始活性碳在FC(AC-FC)中对NH_4~+-N的去除率高1.3倍,且MnO_x/AC-FC的最大电流密度为26.0 m A/m~3,而AC-FC无电流产生。这表明MnO_x可作为电子介体把NH_4~+-N中的电子从阳极传递到阴极,最终被阴极电子受体的O_2接收。当添加质量浓度1 mg/L的Mn~(2+)于MnO_x/AC-FC电解液时,与无Mn~(2+)添加相比,NH_4~+-N的去除率增大至48.8%,可能是Mn~(2+)在MnO_x的自催化作用下能形成新的MnO_x,为催化氨氮氧化提高了更多的活性位,促进了NH_4~+-N的去除。  相似文献   
2.
岳冬青  吉晶晶  宁提 《激光与红外》2019,49(9):1130-1134
介绍了基于SMIC 0.18 μm 3.3 V工艺设计研究的第一款小像元红外探测器读出电路,间距10 μm,规模1024×1024。文章详细介绍了像素输入级以及列级、输出级运放的设计,为提高线性摆伏,设计选用了低阈值NMOS管nmvt 33,仿真分析证明低阈值管nmvt 33的噪声性能优于普通管n 33;版图设计对关键信号线和敏感点采取隔离处理措施,对像元间串扰进行了仿真分析,有效控制了信号串扰。电路经测试使用各项功能正常,最大电荷处理能力达到4.3 Me-,动态范围≥65 dB,读出速率达到10 MHz,性能指标满足设计要求。  相似文献   
3.
稀土在激光熔覆镍基自熔合金中的作用   总被引:9,自引:0,他引:9  
王玉林  沈德久  廖波 《应用激光》2003,23(3):139-140
采用CO2激光器在低碳钢表面进行激光熔覆处理,研究了稀土氧化物在激光熔覆Ni45自熔合金层中的作用.结果表明,加入适量稀土的熔覆合金层组织得到细化,其在还原酸中的耐蚀性和抗高温氧化能力较不加稀土镍基合金熔覆层都有较大提高,更远高于低碳钢.可见,稀土变质的激光熔覆处理对提高低碳钢性能具有重要指导意义.  相似文献   
4.
合成了具有介孔-大孔双模型分级结构的无定形硅-铝催化剂,利用硅和铝核的固体魔角核磁共振谱,考察了合成样品中硅和铝结构上的原子特征.  相似文献   
5.
IGCT 综合型电荷控制 模型的建立和仿真   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
张华曹  段飞 《电子器件》2003,26(1):25-28
以电荷控制方程而建立的IGCT综合型电荷控制模型,经关键性的关断电流和关断电压进行了仿真分析,所得结果与实际结果吻合。因此该模型是有效的,可用于IGCT的开关特性分析和集成门极电路设计。  相似文献   
6.
文章提出了精确描述自对准双扩散MOS器件阀值电压的解析模型,给出了其沟道中杂质的二维分布和源结耗尽层宽度的计算方法;分析了边缘效应对氧化层电容的影响,借助电荷共事模型,建立了反映非均匀沟道中耗尽层电荷变化及其对开启电压影响的阀值电压模型;同时,借助二维仿真器,计算出自对准双扩散MOS器件的阈值电压,其值与解析值相吻合。  相似文献   
7.
王德宪  郭利娅 《玻璃》2003,30(3):22-27
第三节 常见氧化物膜目前研究最多的氧化物膜可谓二氧化硅和二氧化钛膜 ,这两种薄膜也是接受呈色离子、制备彩色镀膜常用的基体膜 ,所以 ,有必要将它们单独列出 ,加以讨论。1 二氧化钛膜在所有高折射率材料中 ,由钛的化合物制备的氧化物膜具有特殊的实际意义。因此 ,对二氧化  相似文献   
8.
电荷耦合器件积分时间对微型成像系统成像质量的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
宋勇  郝群  王涌天 《兵工学报》2003,24(3):338-341
在光圈固定的情况下,确定合适的积分时间对于提高微型电荷耦合器件(CCD)成像系统的成像质量,增强微型飞行器的侦察能力具有十分重要的意义。本文讨论了决定CCD积分时间的各种因素,重点研究了适用于微型飞行器的CCD成像系统的积分时间与像移的关系,并进一步推导了计算像移量的相关数学模型。利用该模型对不同积分时间内采集的运动图像进行了像质评价,结果表明,在保证曝光量的前提下,当像移量被限制在1个像素内时,可以获得相对理想的运动图像像质。  相似文献   
9.
采用静电喷雾高温分解工艺制备SnO2气敏膜,并与Si3N4-SiO2集成多层介质膜,用催化金属Pt作栅电极,制成新型的MSIS结构气敏电容。通过检测平带电压的变化,研究对H2和O2的气敏特性,分析其气敏机理并提出了检测的物理模型.  相似文献   
10.
荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功的计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
阴极的逸出功是表征阴极发射能力的物理量,求定荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功时,因其零场发射电流密度难于准确取值,温度无法直接测量,显得困难,须予解决,为此提出了一种计算阴极有产逸出功的办法,对某显示管的发射欠佳和“低温高效”的两种氧化物阴极的有效逸出功进行计算,有效逸出功率是靠测量相关物理量再同计算得出,精度不很高,文中所用办法也不例外,但所得结果能反映阴极发射能力,所需仪器少,是实用方法。  相似文献   
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