单根硅纳米线等离子激发色散关系的测量

等离子激发是了解材料的电子态性质的一个窗口。电子能量损失谱是研究材料内等离子激发的一个极好的实验工具[1] 。常见的电子能量损失谱主要是通过研究等离子激发的能量和强度来分别确定材料内部价电子的体密度和样品的厚度 ,比较少的是关于等离子激发能量与散射角度的关系的研究[2 ] ,即物理意义上的等离子激发的色散关系。色散关系和材料的维度及电子与电子的相互作用有关[3 ] ,故研究低维材料激发态的色散关系是一个十分有意义的工作。我们在这里报导测量单根硅纳米线等离子激发色散关系的初步工作。我们选择硅纳米线作为实验体系是因为…     

Zn对Al-Mg-Si合金时效析出相稳定性影响的第一性原理研究

6000系Al-Mg-Si合金综合力学性能优良,具有比强度高、成型性能好、焊后表面质量高、耐腐蚀性好等特点,目前已经广泛应用于制造汽车车身板材。该系合金为可热处理强化合金,可以通过提高合金的时效响应速度,使合金在时效过程中获得尽可能大的强度提升。目前常用的措施是在合金中添加少量的Zn元素来促进时效析出,但Zn对合金时效析出相稳定性的影响却尚不明确。因此,本工作主要采用第一性原理计算的方法,计算了添加Zn的Al-Mg-Si合金中可能形成的Mg-Si相(包括Mg-Si GP区、β″相)和Mg-Zn相(包括Mg-Zn GP区、η′相)的晶格常数、形成焓。其中Mg₂Si₁Al₃、Mg₂Si₃Al₆、AlMg₄Si₆、Mg₁Si₁四种可能的Mg-Si GP区晶胞的形成焓从大到小为Mg₂Si₁Al₃、Mg_2...     

碱金属Cs复盖于过渡金属W的吸附系统功函数研究

本文借助于一种改进的薄膜LAPW(线性迭加平面法)的基函数描写方法以及薄膜jellium-slab模型计算了具有三层slab的C_s-W吸附系统的功函数,得到了一组与实验更为符合的结果,即清洁表面功函数是4.89eV(近期计算值是5.4eV),这与S.Ohnishi等计算的结果(三层4.82eV,五层4.62eV,七层4.64eV,九层4.58eV)一致,功函数约在θ_1≈0.21处取极小值,其值为1.35eV,较近期结果(约0.8eV)与实验值(1.77eV)更为接近。本文着重分析了φ-θ曲线的形成与5d电子态变化及电子转移之间的关系.     

我国纳米技术研究精确到单分子结构

纳米技术发展至今，遇到的一个重大难题就是直接观察单个分子和原子团簇的几何结构和电子结构，并对其进行理论阐述。日前由国家自然科学基金会连续资助的研究项目“单分子结构与电子态的理论和实验研究”已经突破该难题，能够对单个分子和原子团簇的结构进行理论上的建模分析与表述。     

零偏源MOS结构的栅电荷弛豫机制及近少子带边界面态分布的瞬态谱测定

讨论了小方栅脉冲下零偏置源MOS结构栅电荷弛豫的机制.证明了当费米能级接近少子带边时,引起栅电荷弛豫的起因将由界面态俘获发射电荷的过程变成受其延迟的表面少子扩散漂移过程.对后一过程进行理论分析导出的栅电荷公式与实验取得了一致.在此基础上提出了根据栅电荷波形参数确定栅电荷变化量中界面态贡献的大小,进而测定近少子带边一侧界面态密度的测量原理.获得了覆盖的能量范围一直延伸到距少子带边 0.05 eV处的界面态密度能量分布.在不同类型样品中获得了具有共同特征的结果.     

在CO掺杂HCl＋Xe晶体中Xe2^＋Cl^—的电子态跃迁

报导了ＣＯ掺杂ＨＣｌ＋Ｘｅ矩阵晶体中，在３０８ｎｍ激光的激发下，首次观测到Ｘｅ２＾＋Ｃｌ＾－的辐射荧光谱，表明发生了合作电荷转移吸收反应。在四体双光子吸收反应。     

SnO2(110)面结构及O2吸附特性的密度泛函分析

根据密度泛函理论,采用广义密度近似和总体能量平面波赝势方法,计算了SnO2氧化(110)面、还原(110)面的结构及电子特性,研究了O2以不同方式在还原(110)表面的吸附.计算结果发现, 氧化(110)面和还原(110)电子态密度同体材料有较大不同,SnO2(110)的电导行为主要受氧空缺在禁带中引入的表面电子态的控制.氧气在还原(110)面4配位的Sn离子上发生的三种吸附均为自发吸附,其中O2平行于表面和4配位Sn轴的侧位吸附方式最为稳定,且这种吸附方式对 SnO2表面电导率改变的贡献最大.     

First-Principles Investigation of （001） Surface of TiO2

By means of first-principles calculations based on the ab initio pseudopotential and plane wave basis, we present self-consistent molecular dynamic calculations to determine a clean TiO2 crystal (001) surface geometry and surface electronic states structure. All calculations were performed for both rutile and anatase phases. Using a total energy minimization strategy, we acquired the general inward relaxations. The s-like surface states just above the lower valence band at (001) surfaces both in the rutile and anatase phases are found. The band bending effect occurs both in rutile and anatase (001) surfaces. It reduces the band gap by ac. 0.4 eV in rutile and ac. 0.8 eV in anatase, elevating the Fermi energy levels. Besides the band bending of the valence band, surface states also lie near the bottom of the conduction band. The lower surface energy of anatase makes nanocrystalline TiO2 is often in the anatase phase below a critical size.Our results are in good agreement with the previous work and experimental data.