Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

基于MATLAB的ZNⅡ真空电容投切开关操动机构设计

ZNⅡ型真空电容投切开关专为频繁投切电容器组的场合设计,其操动机构由凸轮传动机构和弹簧储能机构组成。根据文献研究,开关的速度输出特性能够体现其灭弧性能的好坏。笔者综合分析开关各参数的影响,利用MATLAB软件的优化工具箱对ZNⅡ型真空电容投切开关进行设计,能够得到比较理想的速度输出特性。     

离相式封闭母线工频交流耐压试验补偿装置 在大渡河流域梯级电站中的应用

以某电站封闭母线工频交流耐压为例,根据带防冲击保护电容器的离相式封闭母线(IPB)工频交流耐压试验的方法,通过分析该工频交流耐压补偿试验装置的相关参数计算、选型等重点环节,有效解决了试验过程中出现的问题。     

LW12-500型罐式断路器缺陷分析及处理

主要介绍了LW12-500型罐式断路器的设备概况、运行使用情况,分析总结了LW12-500型罐式断路器在实际运行中出现的故障及缺陷情况,有针对性的制定了改造措施,并提出了进一步的改进措施。     

石墨烯场效应晶体管研究进展

石墨烯具有优异的光、电、热及机械性能,在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET在模拟电路和数字电路中的研究进展,分析了目前存在的问题:模拟电路主要应该提高GFET的最大振荡频率(f_(max))使之与截至频率(f_T)相符;数字电路主要应该采取有效方法打开石墨烯带隙、提高开关比,并介绍了通过构建石墨烯纳米带、双层石墨烯、掺杂法及通过基底影响等来打开带隙的方法。与数字电路相比,GFET在模拟电路中更具有应用潜力,如在太赫兹领域已表现出优异的性能。石墨烯和硅互为补充,以混合电路的形式加以应用也是一个很好的切入点。     

美国三大公司激光二极管的最新进展

在美国西部光电博览会高功率二极管激光器会议上，美国的Alfalight公司公布了25℃，22W，970nm连续输出的单发激光二极管。该公司同时报道了他们在美国国防部高级计划研究署（DARPA）超高效率二极管发射源计划中的功率转换效率（PCE）为80％的目标计划进展。他们的最新结果是，带1mm长腔的占空比为20％的半导体条在25℃时的功率转换效率达到71％。     

电视机滤波电容损坏造成的干扰故障

有用户反映电视图像有两三横道亮线上下滚动干扰电视信号，我们怀疑可能是光接收机、电源或线路放大器的故障，抽查几个用户，结果是西半部比东半部严重，我们带去光接收机、电源、放大器换了一遍，故障依旧，用户还反映这个故障时有时无不定时出现，事隔两三天我们再去，把所有的编码分支器全部换上普通的六分支器，但故障依旧。当时夏天农忙看电视时间少，用户也没计较，事隔两三个月用户又打电话说：电视图像还像原来一样不好，我们再次来到故障严重的用户家，分析故障现象，怀疑可能是某个电源或桌用户电视机造成的干扰，     

二极管侧面抽运薄片激光器耦合系统研究

设计了二极管侧面抽运Nd:YAG薄片激光器,耦合系统由消像差透镜组和空心光波导组成,对二极管快轴和慢轴方向的抽运光进行压缩和均匀化.采用光线追迹法,同时考虑二极管在快轴和慢轴方向的发散特性及薄片侧面的散射特性,模拟并分析了光线在耦合系统内的传输和薄片内抽运光分布的规律.模拟结果表明耦合系统具有98.1%的耦合效率,同时薄片内具有理想的抽运光分布.     

半导体传感器在生物分析科学中的应用(英文)

回顾了半导体生化传感器 (ISFET 和 LA PS)在医学监测、免疫检测、免疫分析、D N A 杂交以及细胞培养等方面应用的进展。为使半导体器件适用于生化检测,对其中所采用的检测手段和取得的研究结果进行了分析。展望了通过与微流体网络相结合,基于半导体传感器的实验室芯片化的可行性。