RMT测井技术增油效果显著

RMT测井是利用脉冲中子（碳氧比）资料确定储层的孔隙度、含水饱和度和岩性等。由测井曲线得到矿物元素（碳、氧、硅、钙）的含量，并通过分析元素的百分含量计算剩余油饱和度。该技术不仅能用于计算单井的剩余油饱和度，而且可以估算区块的剩余油饱和度，对于寻找剩余油和发现剩余油的分布规律有重要的指导作用。     

材料织构的中子衍射测量

概述了中子衍射测量材料织构的进展和国际国内现状,以及对未来发展的展望.     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

移动式宽频带高产额中子发生器

多用途中子发生器有着广阔的市场和应用领域 ,文章对移动式宽频带高产额中子发生器 ,在设计制造过程中所涉及到的技术难点 :绝缘尺寸小、频率适应范围宽、为中子管提供靶压的高压负载特性好等作了技术分析 ,使多用途中子发生器在更广阔的范围内应用 ,提供了广阔前景。     

激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.     

中子测井仪刻度管理系统

介绍了补偿中子测井仪刻度的基本原理及在Windows98平台下利用Borland C Builder5.0^[1]编程环境开发的中子测井仪刻度管理软件，实现了对中子测井仪的刻度管理，列举了应用实例。     

白光LED驱动器在手机设计中EMI问题的考虑

目前手机普遍采用白光LED作为显示屏幕的背光元件．相应的白光LED驱动器成为一颗在手机设计中不可或缺的IC。白光LED驱动器采用开关电源拓扑结构，如电感式升压转换器。转换器在高速开关的同时，由于使用电感产生EMI干扰，会给手机其他功能模块的设计带来困难。随着LCD屏幕的增大．驱动器所需的输出能力也相应增加，