Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

机载光电雷达它机试飞技术研究

机载光电雷达受平台及大气环境影响较大,而它机试飞能有效规避研制风险,是产品研制的必经阶段。本文介绍了机载光电雷达它机试飞试验系统组成、试验流程和数据处理等内容。经工程验证,实施过程满足任务需求,对其他光电系统的它机及本机试飞具有参考价值。     

李家峡水电站泄水道缺陷修复处理

李家峡水电站上游来水丰富,汛期泄水历时长,泄水量大,运投多年后出现泄水道底板、边墙多处冲蚀破坏。针对泄水道缺陷原因和修复施工效果的评析,优化选择了微膨胀防裂硅粉混凝土、环氧砂浆和胶泥等修复材料。根据修复后泄水道运行情况,表明本工程选择的泄水道缺陷修复方案、材料及施工工艺可在高海拔、高水头、高流速的类似工程中推广应用。     

专利文献信息

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贯穿位错对铝镓氮/氮化镓光学及电子器件性能的影响

氮化镓薄膜在蓝宝石、碳化硅和单晶硅等衬底上的异质生长会不可避免的产生高密度的(贯穿)位错(high-density threading dislocation)。本文首先介绍常见的刃型和螺型位错及其表征手段,随之结合国际上的学术研究案例,展开讨论了位错对于氮化镓基器件(如LED和HEMT)的光学性能(非辐射复合)以及电学性能(电荷散射及陷阱能级)的影响机制。     

硅宝密封胶获评优选品牌

<正>第七届全国房地产总工年会近日在天津召开,成都硅宝科技股份有限公司研发生产的4个牌号密封胶在会上获评全国房地产总工优选品牌产品。经过层层筛选,联合评审工作委员会严格评选并推荐,硅宝1099/1092高性能硅酮结构密封胶、硅宝     

炼铁厂低硅冶炼生产实践

对炼铁厂提高硅稳定率生产实践进行了总结。通过加强原料管理,实行炉温趋势化、精细化、标准化操作等措施,铁水硅稳定率大幅提高,基本控制在90%左右,超过目标计划5%左右。