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1.
2.
本文报导了半导体InP材料〔001〕带轴的高分辨结构象主要实验结果。采用400kV电子束,欠焦量为大约650A,同时In及P的结构象的最佳厚度约为260A。当厚度减缩到150A左右,只剩下P的原子象。当厚度增加到370A,只剩有In的原子象。实验得到的高分辨结构象和计算机模拟象是基本一致。当试样发生弯曲时,入射束与〔001〕带轴之间的夹角是0.18度。高分辨结构象代表In原子和P原子的亮点联接在一起。计算机模拟象证实了这一实验结果。 相似文献
3.
研究了2K低温下非有意掺杂InP单晶的光致发光谱,对近带边的辐射跃迁进行了仔细分析,报道了InP单晶在大功率光激发时束缚于中性施主的激子跃迁发光相对减弱、而束缚于中性受主的激子跃迁发光相对增强的现象,并探讨了其机制,确认了材料中存在Mg、Zn等残余受主杂质,并计算得到Mg受主的离化能为41.5meV. 相似文献
4.
研制成功了弱调Q及强调Q两种三端1.3μm InGa AsP/InP双区共腔激光器,其P/I特性分别呈二极管激射特性和吸收型双稳特性,两种激光器均实现了室温连续(直流)工作,吸收区电极的设置使两种器件的P/I特性均获得了大范围调节。 相似文献
5.
采用N-InP衬底研制InGaAsP/InP激光器和DFB激光器在国内已报导过多次,本文介绍用P-InP衬底研制InGaAsP/InP平面埋层异质结构激光器和DFB-PFBH激光器,同时利用晶体生长和晶向的依赖关系,改进埋区的结构,使器件最高激射温度大于100℃。 相似文献
6.
7.
8.
报道了一款在101.6 mm(4英寸)InP晶圆上制备的特征尺寸为0.25μm的磷化铟双异质结双极型晶体管。采用发射极自对准技术和介质钝化工艺,器件的发射极典型尺寸为0.25μm×3.00μm,最大电流增益为25,当发射极电流密度为10μA/μm^(2)时,器件的击穿电压达到了4.2 V,电流增益截止频率为390 GHz,最高振荡频率为620 GHz。建立了用于提取器件寄生参数的小信号等效电路模型,模型的仿真结果与高频实测数据具有很好的拟合精度。 相似文献
9.
对于磷化铟(InP)的合成来说,合成的时间越快、纯度越高,合成熔体的配比度越高、熔体的利用率越高,合成量越大、成本越低。为实现InP的快速大容量合成,分析了注入合成的物理条件、气体传输过程、界面反应机理和注入气泡速率对合成的影响。通过对机理的分析,优化了注入合成条件和冒泡速率,提高了注入合成过程的可控性,在3 h内合成了10 kg高纯InP多晶,通过直拉法进一步提拉生长,最终制备的InP多晶载流子浓度≤2×1015 cm-3,迁移率>4 500 cm2·V-1·s-1,为实现大尺寸单晶批量化制备奠定了基础。 相似文献
10.
用氦离子等离子体辅助分子束外延方法生长了InP(InGaAsP)/InP结构。结果发现,PABME外延层具有很高的电阻率和很快的光反应特征。用慢正电子湮没方法研究了这一外延层。测量结果说明这些特性与等离子体造成的缺陷及缺陷随温度变化有直接关系。 相似文献