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1.
2.
《Planning》2015,(16):83-86
目的:探讨神经鞘直径(Optic Nerve Sheath Diameter,ONSD)超声监测在颅高压患者术后的临床应用。方法:选择2013年11月-2014年5月本院颅脑疾病患者26例为观察组,根据入院时GCS评分为重型颅脑损伤患者15例,大面积脑梗死6例,脑肿瘤5例,术后1、2、3 d根据病情变化动态用彩超经眼眶检查观察组眼球后3 mm处ONSD大小,每眼每次检查3次,计算ONSD平均值,同时观察生命体征和GCS评分变化,统计生存率。结果:术后平均ONSD<5 mm 17例,>5 mm 6例,>6 mm 6例;死亡7例,植物生存2例。结论:动态监测颅脑术后ONSD变化有助于正确判断颅脑术后患者的病情变化,指导及时复查CT或再次手术,可成为神经重症监护病房常规监测手段。 相似文献
4.
樟芝多糖通过降低NLRP3 Caspase1炎性小体表达改善帕金森小鼠神经行为学的机制研究 总被引:1,自引:0,他引:1
目的:研究樟芝多糖通过降低NLRP3-Caspase1炎性小体表达改善6-OHDA构建的帕金森小鼠模型的行为学机制。方法:利用6-OHDA脑内注射构建帕金森小鼠模型,通过酪氨酸羟化酶(TH)免疫组化染色和行为学判定小鼠模型的构建成功。利用樟芝多糖进行干预,分别在干预前、干预后的第1、3、7天4个时间点进行神经行为学实验,分别采用转棒实验、爬杆实验检测小鼠自主行为能力以及协调能力,4个时间点取小鼠尾静脉外周血采用ELISA法检测外周血中Caspase1和IL-1β的表达,樟芝多糖干预第7天时待进行完行为学实验后小鼠断颈处死,取小鼠脑组织-纹状体,Western blot法检测纹状体中Caspase1、proCaspase1、NLRP3的表达,高效液相色谱检测纹状体中单胺类神经递质的表达,RT-QPCR检测Caspase1、NLRP3、IL-1β、IL-4、IL-6的mRNA表达。NISSl染色检测小鼠脑组织神经细胞凋亡情况。 结果:6-OHDA脑内注射可以造成小鼠帕金森样病变,且TH蛋白表达显著下调,樟芝多糖干预后小鼠的行为学得到显著改善(P<0.05),纹状体中Caspase1、proCaspase1、NLRP3的表达显著下调,与模型小鼠相比具有统计学差异(P<0.05),且相关炎症因子Caspase1、NLRP3、IL-1β、IL-4、IL-6的mRNA表达下调(P<0.05),纹状体中单胺类神经递质表达上升(P<0.05)。结论:樟芝多糖可以通过下调NLRP3-Caspase1炎性小体表达来改善6-OHDA构建的帕金森小鼠模型行为改善,这可能是樟芝多糖治疗帕金森的机制之一。 相似文献
5.
《Planning》2019,(7):107-108
目的:研究综合性护理在脑卒中患者神经康复中的应用效果。方法:选取2016年1月-2017年1月本院收治的脑卒中患者中60例。应用抽签形式将其分为观察组和对照组,各30例。对照组予以常规护理,观察组在对照组基础上配合综合性护理。比较两组护理满意度、并发症、神经功能恢复程度(NIHSS)及生活自理能力情况(BI评分)。结果:观察组护理总满意率为96.67%,高于对照组的73.33%(P<0.05);护理后,观察组NIHSS、BI评分均优于对照组(P<0.05);观察组并发症发生率为16.67%,低于对照组的46.67%(P<0.05)。结论:脑卒中患者在治疗期间配合综合性护理方案进行干预,不仅有利于降低其神经缺损程度,提高其生活自理能力和护理满意度,还能控制患者并发症发生风险,值得临床上大力推广。 相似文献
6.
《固体电子学研究与进展》2015,(6)
针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。 相似文献
8.
《Planning》2015,(5)
目的锰是一种对于维持正常的细胞功能和新陈代谢具有重要作用的微量金属。然而积累过多的锰可能引起大脑功能退化紊乱,其引发的神经系统疾病被称为锰中毒。本文从氧化应激、线粒体损伤、对多巴胺能神经元损害、对内质网应激等方面综述锰致神经毒性机制的研究进展。 相似文献
9.
石墨烯具有优异的光、电、热及机械性能,在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET在模拟电路和数字电路中的研究进展,分析了目前存在的问题:模拟电路主要应该提高GFET的最大振荡频率(f_(max))使之与截至频率(f_T)相符;数字电路主要应该采取有效方法打开石墨烯带隙、提高开关比,并介绍了通过构建石墨烯纳米带、双层石墨烯、掺杂法及通过基底影响等来打开带隙的方法。与数字电路相比,GFET在模拟电路中更具有应用潜力,如在太赫兹领域已表现出优异的性能。石墨烯和硅互为补充,以混合电路的形式加以应用也是一个很好的切入点。 相似文献
10.
回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。 相似文献