Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

陈蕴博院士赴河南安阳精密制造产业园现场考察

<正>不久前,机械科学研究总院先进制造技术研究中心副总工程师,中国循环经济协会精密成型与再制造专委会首席技术专家委员会主任陈蕴博院士一行赴苏氏精密制造技术股份有限公司安阳精密制造产业园基地进行现场考察。陈蕴博院士认真听取了该公司关于"苏氏集成精密成型技术"工艺研发生产的过程,以及该公司对基础工业领域技术发展方向的展望介绍,并参观了该公司近年来研发的上百种专利产品,陈院士对"苏氏集成精密成型技术"的成果尤其在军工领域的     

高渗透率光伏配电网中电池储能系统综合运行控制策略

为解决配电网中高渗透率光伏及用电高峰负荷过重带来的电压越限问题,并在分时电价政策下通过低储高发获取经济收益以降低储能作为电压控制手段的成本,提出一种电池储能系统综合运行控制策略。该策略包括电压控制和套利运作两部分,其中电压控制部分以防止电压越限为目标,建立包括电池剩余寿命(TOU)、荷电状态(SOC)、电压灵敏度特性、电池动作费用等在内的评价矩阵,选择综合评价指标最大者进行控制,以提高电压控制效率;套利运作部分以保证电压安全为前提,结合用电峰谷电价,尽量减少电池动作对节点电压的影响,选择电压灵敏度因数及动作费用最小、电池状态最优者进行控制。该方法在实现削峰填谷,改善配网电压安全,提高储能安装用户收益的同时,兼顾电池储能系统的状态变化,实现了功率在各储能单元间的合理分配,提高了动作效率,均衡了各储能单元的使用率,延长了整个储能系统的使用寿命。最后通过算例分析验证了该控制方法的有效性。     

网友评出2014年第12期《中国计量》好文章

<正>为了更好地服务读者,为读者提供更有针对性的资讯,《中国计量》杂志在中国计量网上发起"我喜爱的《中国计量》文章"网络投票评选活动。读者、网友登录中国计量网后,点击首页"评选出我喜爱的《中国计量》文章"的Logo标志,即可参与网络投票。每月15日,我们上传当期《中国计量》杂志目录,一个ID只能投票一次,所选     

发电机出口PT一次保险熔断故障的分析及对策研究

发电厂为了监视电气系统的运行情况,配置了大量的保护装置和监控设备。这些设备需要采集发电机出线的电压,是通过电压互感器变换成标准的二次侧电压才能完成。在机组正常运行中,电压互感器一次保险常发生熔断故障,给安全生产带来影响。同行大多认为是由于铁磁谐振引起谐振过电压造成。以天生桥一级水电厂为样本,查阅了大量录波数据和运行记录,在保险熔断的瞬间并没有发生过电流情况,进而在分类统计、计算分析的基础上,提出了PT一次保险熔断的防治措施。     

一款实用正弦波产生电路的设计

通过施密特电路产生方波,然后经积分电路变换得到三角波。由二极管和电阻组成的变换电路级对三角波进行不同级别的导通。利用二极管的非线性特性,使各级的临界导通电压不同而对三角波进行变换得到平稳失真可控的正弦波信号。     

某雷达站接地引发故障分析

针对雷达站两起供配电故障进行分析，该雷达站接地系统未按设计要求采用TN S保护方式，实际运行方式为类似TT保护方式。通过这两起故障，分析了不同接地方式对设备运行和人身安全的影响。     

梦幻缥缈——剑河巫沙苗寨

<正>巫沙村坐落在剑河县南哨乡东面10公里,距县城84公里,海拔为480至500米的小山岭,全村226户1192人,苗族占全村人口的90.78%。巫沙村三面环水,背倚青山,古树参天,山水相映,幽雅僻静,180余座穿枋结构吊脚木楼,36栋的传统粮仓群,依山而建,鳞次栉比,掩映在古树林中,风貌协调统一。南哨河从西侧由南向北流淌,河水环绕着村子的西、南、东南三个方向,水边码头拾级而上,穿过护寨林直通寨内。村寨四周植被良好,青山环抱,环境优美。苗     

基于关键路径延时检测的自适应电压缩减技术

为了减小传统的最差情况设计方法引入的电压裕量,提出了一种变化可知的自适应电压缩减(AVS)技术,通过调整电源电压来降低电路功耗.自适应电压缩减技术基于检测关键路径的延时变化,基于此设计了一款预错误原位延时检测电路,可以检测关键路径延时并输出预错误信号,进而控制单元可根据反馈回的预错误信号的个数调整系统电压.本芯片采用SMIC180 nm工艺设计验证,仿真分析表明,采用自适应电压缩减技术后,4个目标验证电路分别节省功耗12.4％,11.3％,10.4％和11.6％.