VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。     

基于落渣碰撞信号的锅炉结渣诊断技术的研究

针对我国燃煤锅炉普遍存在的结渣问题,提出了基于落渣碰撞信号的结渣诊断方法:能量包络线法以信号的第一个峰值点作为到达时刻,后通过网格法确定撞击区域。通过多种质量、软硬程度材料的平板冲击实验模拟炉内落渣碰撞信号,结果表明该方法具有较高的定位精度,相对误差在10%以内,且随落渣的质量和硬度的增大,定位精度有所提升;在一定强度的噪声干扰下,仍能较好地定位撞击区域,具有工程应用价值。     

Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

肉类消费:营养功效与健康影响

肉类消费常被认为是导致一些疾病的原因。对于代谢性疾病(肥胖、代谢综合征、糖尿病)和心血管疾病来说,肉类消费本身不是引起疾病的原因,但饮食模式可能与疾病的产生有关。至于结直肠癌,已有数据分析结果显示,过量食肉(特别是烹饪方式不当的情况下)的确会增加患病的风险。一些相关的营养学和遗传学因素可以有保护(或抗癌)作用。适当食肉,并配以健康的烹饪方式,对平衡饮食是很重要的。     

异质结光晶体管的研究与进展

回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。     

美国三大公司激光二极管的最新进展

在美国西部光电博览会高功率二极管激光器会议上，美国的Alfalight公司公布了25℃，22W，970nm连续输出的单发激光二极管。该公司同时报道了他们在美国国防部高级计划研究署（DARPA）超高效率二极管发射源计划中的功率转换效率（PCE）为80％的目标计划进展。他们的最新结果是，带1mm长腔的占空比为20％的半导体条在25℃时的功率转换效率达到71％。