Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

离子膜电解反向电流及其消除

探讨反向电流的形成、反向电流的危害、极化整流器消除反向电流的若干方式、C-DCDS装置构成及其与极化整流器匹配应用于电解槽的情况,以及单独使用极化整流器或C-DCDS和两者匹配使用的方法。     

晶闸管斩波在电镀电源上的应用

电镀整流电源是电镀生产中不可缺少的设备,小型电镀整流器是工艺试验不可缺少的仪器,对于研究新工艺、开发添加剂、控制镀层质量以及诊断镀液弊病起着重要作用.     

IR单片荧光灯镇流控制器

国际整流器公司（IR）推出IR2167单片荧光灯镇流器，它具备有源，临界传导模式的升压型功率因数校正（PFC）方法，其大功率因数更可提高电力设备效率。IR2167控制整个电子镇流器并结合照明控制，功率因数校正和一个600V半桥驱动器。该镇流器的功能包括控制预热，点亮和驱动荧光灯，     

IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。     

具有极低正向压降（0．375V）的肖特基势垒整流器 用于开关模式电源、电源适配器等产品

这五款基于Trench MOS技术的肖特基势垒整流器可在开关模式电源中作为整流电路或OR—ing二极管，或可替代同步整流解决方案。     

整流装置的谐波计算

准确计算变流系统的谐波是进行谐波抑制的前提。本文介绍了一种确定 Fourier 系数的计算方法,并利用这种方法对整流电路进行了谐波计算。计算结果表明这种方法对变流器的谐波计算是方便和准确的。