Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

具有极低正向压降（0．375V）的肖特基势垒整流器 用于开关模式电源、电源适配器等产品

这五款基于Trench MOS技术的肖特基势垒整流器可在开关模式电源中作为整流电路或OR—ing二极管，或可替代同步整流解决方案。     

肖特基型红外探测器

利用试制的焦平面阵（ＦＰＡ）实验证明，采用电荷扫描器（ＣＳＤ）可有效地提高ＰｔＳｉ肖特基势垒红外焦平面阵的性能。开发出孔径率为７１％的５１２×５１２象元高灵敏度红外焦平面阵和１０４０×１０４０象元高析像度ＰｔＳｉ红外焦平面阵。     

基于IR1167的智能同步整流控制

引言 随着近年来数字处理电路电压的不断降低，电源功率密度的不断提高，对于电源次级整流的要求越来越高。整流器件已从最初的肖特基二极管整流，发展到用同步整流开关管替代二极管，以降低功耗。目前，控制同步整流开关管的方法主要有分立式和基于锁相环的控制芯片两种。用分立元件实现同步整流的缺点是响应过慢，系统可靠性相对差。单芯片同步整流是基于锁相环技术的，从初级取信号同步控制次级整流开关管，这种方法的缺点是不能保证在间隔模式（轻载或空载时发生）下可靠操作。     

国外PtSi-SBIRFPA的技术进展及市场前景

本文全面深入地介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列(PtSi-SBIRFPA)的技术进展及市场前景．从制作技术、像元集成度、NETD、光响应均匀性、量子效率、成品率和成本方面把PtSi单片式红外焦平面陈列(PtSi-MIRFPA)与InSb和HgCdTe混合式红外焦平面阵列(InSb和HgCdTeHIRFPA)技术作了详细的比较，评述了PtSi-MIRFPA技术的发展现状和面临的现实，分析了PtSi-MIRFPA技术的应用范围，目前的市场状况和今后的技术前景。     

液晶显示器及液晶电视的一种供电方案

随着TFT显示技术的发展,TFT产品迅速进入商品化阶段。由TFT技术产生的衍生品,如TFT Monitor,TFT TV已在不少领域代替传统CRT产品。TFT产品主电源要求一般有以下几种:+5V/2.3A(15英寸)2.7A(17英寸),辅电源要求为+3.3V/800mA,+2.5V/400mA,背光部分输出功率为8~12W,TV turner要求为+5V/80mA。因为背光冷阴极驱动,故启动电压要求达1.3kV以上,灯管点亮后维持电压在450V左右。一般Monitor的输入电源往往采用12V Adapter,且因TFT产品往往外形轻便,厚度较薄,要求供电部分产生的热量要少(效率要高),体积要小,故TFT Monitor/TV的供电要求有其一定的特殊性,需要有针对该要求的供电方案。     

MEGA技术支持移动设备与汽车应用

移动导航设备、可拍照手机、汽车防盗系统等，都是当前产业的发展趋势。系统设计方面的主要目标是设计可充电电池的多功能移动装置，以及满足汽车产业对降低成本、节省能源、缩小体积与重量等方面要求的产品。为此，利浦半导体研发MEGA发Schottky二极管(Maximum Efficiency General Application)，拱配改良型分离式“Low VCESAT(BISS)晶体管     

双频段应用的毫米波倍频一放大器组件

本文介绍用变阻模式肖特基二极管制作的宽频带倍频器和由Ｋａ波段ＧａＡｓＭＭＩＣ放大器芯片组成的倍频一放大器混合集成组件，输出功率可达２０ｄＢｍ。     

具有势垒增强层的MSM光电探测器暗电流的计算

将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM－PD简化为一维模型，并通过理论分析，得出了它的暗电流特性，进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。