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1.
目前,投影机的运用越来越普遍,无论在商务、文教、医院、媒体、还是娱乐等场合,采用能带来高清晰大画面投影机的比比皆是。除了投影机自身素质会决定投影效果之外,投影幕也对投影效果起着举足轻重的作用。通常所见的天花板吊装电动式或手动式投影幕,比较合适装置于固定场所,如私 相似文献
2.
异质谷间转移电子器件的计算机模拟 总被引:2,自引:1,他引:1
薛舫时 《固体电子学研究与进展》1995,15(2):118-124
使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的GaAs/AlxGa1-xAs异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组,得到了直流工作时器件内的电场分布、双能谷中载流子的布居以及两个能谷的电流分布。这些结果正好和常规Gunn器件相反,说明了两种器件的不同工作机理。最后通过对低Al组份势垒结构的计算说明了X谷电子注入对器件工作的重要作用。 相似文献
3.
介绍了间接跃迁的半导体AlP与GaP形成的超晶格,由于零折叠效应,实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变,从而增加了带间的光跃迁几率,并推导了该几率的表达式。 相似文献
4.
旋转导向钻井系统在大位移井中得到广泛的应用,该项技术国内正处于研究阶段。结合国家863项目“旋转导向钻井系统整体方案设计及关键技术研究”,对设计出的偏置式旋转导向钻具组合进行了力学性能的理论研究,介绍了理论模型的建立和力学性能研究的部分结果。 相似文献
5.
6.
由于器件的快速退化,101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制,发现在强电流注入的半导体激光器中,热退化具有重要影响。研究表明,用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金(如ZnMgSSe)只能对ZnSe中的电子有效地限制,无法对空穴很好地限制;而对BeTe,却只能对空穴进行有效的限制,无法对电子很好地限制。这导致ZnSe(或BeTe)活性层空穴(或电子)漏电发热,引起退化。本文提出以ZnSe/BeTe超晶格为蓝绿发光层,并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响,考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。 相似文献
7.
本文通过能带理论分析了半导体p-n结处能带发生弯曲的原因。继而通俗、简要地说明发光二极管(LED)的微观发光机理,然后提出了制作LED所用材料的选择原则:由材料所具有的适当带隙来保证辐射光的频率或光色。 相似文献
8.
双螺杆反应挤出模型的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
详细研究了双螺杆中反应挤出聚合物的动力学模型、流动模型和传热模型。通过实验得到了双螺杆反应器中聚合物的停留时间分布及平均停留时间。 相似文献
9.
10.
GaAs/Al_0.33Ga_0.67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化 总被引:1,自引:0,他引:1
利用高压光致发光方法在液氮温度下和0—35kar的压力范围内对不同层厚的GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格以及具有相近组份的Al0.3Ga0.7As体材料进行了系统的研究.测得Al0.3Ga0.7As体材料的Γ谷和X谷的压力系数分别为8.6meV/kbar和-.57meV/kbar.在一定的压力范围内同时观测到了短周期超晶格中与类Γ态和类X态相关的发光峰,从而得到了类Γ态能级和类X态能级随压力的变化关系.首次获得了有关GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格能带不连续性(包括价带 相似文献