硅外延片中的杂质控制

有5类掺杂源影响硅的外延片中的杂质分布。主掺杂质控制外延层的杂质浓度，决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。该文介绍了此3类掺杂源的掺杂过程和抑制方法。金属杂质在外延层中对器件有害，防止沾污和使用吸杂技术能降低金属杂质在外延层中的浓度。     

200mmBCD器件用硅外延片制备技术研究

本文涉及200 mm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)器件用硅外延片制备技术，通过结合BCD工艺用外延材料的特性要求，从外延图形漂移、外延层均匀性、表面缺陷等参数指标，分析了衬底埋层浓度、生长温度、生长速率、缓冲层结构等工艺参数对外延参数的影响，优化了BCD工艺用硅外延片的制备方法。本文采用常压化学气相沉积(CVD)技术制备了BCD工艺用200 mm硅(Si)外延材料，通过Hg-CV、SP1及SRP对埋层外延片进行测试分析，实验结果验证了工艺设计的正确性和有效性，提升了大尺寸埋层外延制备技术的产业化水平。     

低阻p型衬底上高阻厚层n型外延

介绍了高阻厚层反型外延片的一种实用生产技术，即在PE-2061S外延设备上，采取特殊的工艺控制在电阻率小于0.02Ω·cm的p型低阻衬底上实现了高阻厚层n型外延生长，外延层电阻率大于40Ω·cm，厚度大于100μm. 研究表明：该外延材料完全可以满足IGBT器件制作的需要.     

埋栅型静电感应器件研制中的外延技术

对电力埋栅型静电感应晶体管关键工艺外延进行了深入研究,提出了在低阻p型衬底上制备高阻n型外延层的工艺方法,使外廷层的方块电阻达到40 000 Ω/□.实验证明,该方法能有效抑制自掺杂效应和扩散效应,避免了外延过程中可能出现的反型.研制的电力埋栅型静电感应晶体管,I-V特性良好、栅源击穿电压达到70 V,阻断电压达到,600 V.     

自掺杂NiO/SrTiO_(3-x)异质结的合成及可见光催化性能研究

通过两步法合成了一种新颖的NiO/SrTiO_(3-x)异质结光催化剂,首先,通过高温固相法合成不同Ti~(3+)自掺杂的SrTiO_(3-x),再利用浸渍法合成NiO/SrTiO_(3-x)异质结。X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外可见漫反射(UV-vis-DRS)等仪器被系统的用来表征SrTiO_(3-x)和NiO/SrTiO_(3-x)异质结,并对它们的物理化学性质进行分析。在可见光条件下用罗丹明B来考察样品的光催化活性,研究表明NiO/SrTiO_(3-x)具有优异的光催化性能,远远优于Ti~(3+)自掺杂的SrTiO_(3-x)。而且,NiO/SrTiO_(3-x)异质结的循环实验结果表明该材料不仅具有高效的光催化剂性能,而且还拥有良好的稳定性。     

等离子体条件下二氧化钛表面自掺杂及光催化性能研究

以氮氢混合气为工作气体,采用介质阻挡放电等离子体对二氧化钛进行表面改性,考察了等离子体改性对二氧化钛光催化性能的影响.采用TEM,XRD,XPS,UV-Vis,PL,EPR分析方法对改性前后二氧化钛进行表征.实验结果表明,等离子体改性后的二氧化钛对亚甲基蓝降解率提高了56百分点,催化剂重复使用四次后,亚甲基蓝的降解率仍...     

基于锌-MOF衍生自掺杂氮多孔炭在超级电容器中的研究

通过简单的水热法工艺制备锌-MOF并调节炭化温度得到自掺杂氮多孔炭ZBTC-T,通过X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、氮气吸附曲线、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）对自掺杂氮多孔ZBTC-T的结构进行了表征，说明了微观结构和宏观性能之间的关系。自掺杂氮多孔炭ZBTC-T结合了金属和炭的优势以及保留锌-MOF中的氮原子从而展现出优异的电化学性能，自掺杂氮多孔炭ZBTC-850具有7.98%的高含氮量和735.42 cm²/g的比表面积，在电流密度为1.0 A/g,具有212.9 F/g的优异比电容，经过5 000次充放电循环中保持其原始值85.04%,突出良好的倍率性能优势并在高性能方面表现出广阔的应用前景。     

聚合物PPV,PDMPV自掺杂导电性研究

报道用带有晶体轨道的ＥＨＭＯ量子化学计算程序对ＰＰＶ及其取代物ＰＤＭＰＶ本征态、双极化子进行了理论计算，合理地解释了由于ＣＨ３Ｏ－自掺杂导致ＰＤＭＰＶ特殊电性能这一实验事实。同时利用电离势、分子电荷图对两种聚合物导电性能的差异性作了讨论。     

硅CVD外延自掺杂效应的分析研究

本文首先对自掺杂机理进行了分析。并采用反向补偿原理，吸附－解吸、滞流层静态－动态转换等，对工艺进行优化，在通常条件下有效地控制了自掺杂。     

重掺衬底硅外延层杂质来源及控制方法分析

从重掺衬底硅单晶片上生长外延层的杂质来源入手,通过分析不同杂质源的控制方法,来更好地控制外延层的电阻率径向分布均匀性。对于电阻率径向均匀性要求非常高的外延片来讲,仅靠控制主掺杂质源是无法实现的,必须要采取措施对自掺杂质进行控制。因此提出了多种抑制自掺杂质的方法,包括优选衬底、气相抛光、衬底背封、二步外延、减压外延等。