新型热顶铸造工艺装备的利弊分析

对新型热顶铸造工艺装备作了简单介绍。根据工业生产实践，详细分析了该装备的优缺点。     

自制地温转接板引起测量误差偏移量的测定

本文通过实验方式,建立了测定自制地温转接板引起测量误差偏移量的测量模型,通过实验数据,计算出了自制地温转接板引起的被校传感器测量误差偏移量。     

硅通孔转接板封装结构多尺度问题的有限元模型

三维硅通孔转接板封装结构中,存在大量的微凸点与微焊球,尺寸相差3个数量级,这种结构多尺度给有限元分析模型的建立带来困难。以板级封装焊锡接点热疲劳寿命的有限元计算为目标,采用均匀化方法将芯片与转接板间的微凸点/下填料层以及转接板与基板间的微焊点/下填料层等效为均匀介质,以解决结构多尺度带来的网格划分困难。在对比分析了几种均匀化方案的基础上,建议在计算三维硅通孔转接板板级封装焊锡接点的热疲劳寿命时,芯片与转接板间的微凸点/下填料层以及转接板与基板间的微焊点/下填料层可采用各自的下填料层替代建模。     

DC-60 GHz硅基垂直互联结构仿真设计

设计了一种基于多层硅转接板堆叠的垂直互联结构,对DC-60 GHz频段内不考虑和考虑硅表面SiO2层的两种层间结构的垂直互联仿真结果进行对比,证明了硅表面SiO2层存在会对谐振频率及阻抗等射频性能产生影响;对后者垂直互联结构进行参数优化,射频传输性能较好,频率40 GHz以下时回波损耗S11小于-30 dB,60 GH...     

玻璃基三维集成技术在宽带射频领域的应用

玻璃材料具有良好的射频传输特性和可加工性,在先进封装领域获得广泛关注.文中针对宽带射频领域对于三维封装的需求,研究了玻璃转接板加工以及玻璃基三维堆叠工艺,测试了玻璃堆叠结构的射频性能.在此基础上将射频芯片嵌入在由玻璃转接板和转接框形成的空腔内,实现了两层射频链路的垂直堆叠,从而形成工作频率2 GHz～18 GHz的宽带...     

三星等离子彩电模组及常见故障的检修

1.三星V2模组(见图1)2.三星V3模组(见图2和图3)备注:(1)三星V3电源板有两种,不能通用。前面提到的电源板分为大小两块。图2所示新电源板为一整块,外观与V2电源板相似,区别在于图3所示的电感线圈是横向的,而V2电源板同位置的电感线圈是纵向的,可与前面的实物图片进行对比区     

三维集成转接板互连电磁传播仿真中吸收边界条件的选取及其验证

为了完成三维集成转接板互连结构中电磁场分布的建模与数值计算,采用时域有限差分法(Finite DifferenceTime Domain, FDTD)仿真二维横电波(Transverse Electric, TE)的传播,观察在添加Mur吸收边界条件和完全匹配层(Perfectly Matched Layer, PML)吸收边界条件时边界处磁场的变化,绘制误差曲线与等相位线来检验这两种边界条件的吸收性能。结果表明,将PML边界条件作为二维TE波的吸收边界可以确保仿真结果更符合工程实际。     

基于TSV转接板的3D SRAM单粒子多位翻转效应

为了研究硅通孔(TSV)转接板及重离子种类和能量对3D静态随机存储器(SRAM)单粒子多位翻转(MBU)效应的影响,建立了基于TSV转接板的2层堆叠3D封装SRAM模型,并选取6组相同线性能量传递(LET)值、不同能量的离子(¹¹B与^4He、²⁸Si与¹⁹F、⁵⁸Ni与²⁷Si、⁸⁶Kr与⁴⁰Ca、¹⁰⁷Ag与⁷⁴Ge、¹⁸¹Ta与¹³²Xe)进行蒙特卡洛仿真。结果表明,对于2层堆叠的TSV 3D封装SRAM,低能离子入射时,在Si路径下,下堆叠层SRAM多位翻转率比上堆叠层高,在TSV(Cu)路径下,下堆叠层SRAM多位翻转率比Si路径下更大;具有相同LET值的高能离子产生的影响较小。相比2D SRAM,在空间辐射环境中使用基于TSV转接板技术的3D封装SRAM时,需要进行更严格的评估。     

硬硅钙石型转接板材料的试制

我国铸铝工业中所使用的转接板均为进口产品,为填补国内空白,采用廉价原料和简单工艺进行了硬硅钙石型转接板材料的试制。结果表明,硬硅钙石与玻璃纤维、熟石灰按质量比36∶2∶1混匀后,加入与原材料总质量比为1∶1的水,在20 MPa的压力下压制成型,180 ℃下蒸压3 h,获得的制品密度为0.85 g/cm³、弯曲强度为7.75 MPa、收缩率为1.58%、抗热震次数达35次、耐受温度可达1 000 ℃、保温效果优良,该制品的性能总体优于进口产品。     

TSV转接板硅通孔的热应力分析

硅通孔(TSV)技术作为实现三维(3D)封装的关键而被广泛关注。该文研究了在温度载荷作用下TSV转接板上铜和硅的应力状态,给出了通孔为完全填充铜和部分填充铜两种情况下的应力解析解,并讨论了孔距对转接板应力的影响。建立了TSV转接板的二维有限元模型,并用于验证解析解的适用性。结果表明：当TSV孔距达到孔直径的3倍以上时,解析解可以给出准确的转接板上铜和硅的应力结果;通过减薄镀铜层可以减小硅上的应力;转接板上应力与加载的温度变化成线性关系。