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采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。 相似文献
2.
三维异质异构集成技术是实现电子信息系统向着微型化、高效能、高整合、低功耗及低成本方向发展的最重要方法,也是决定信息化平台中微电子和微纳系统领域未来发展的一项核心高技术。文章详细介绍了毫米波频段三维异质异构集成技术的优势、近年来的发展趋势以及面临的挑战。利用硅基MEMS 光敏复合薄膜多层布线工艺可实现异质芯片的低损耗互连,同时三维集成高性能封装滤波器、高辐射效率封装天线等无源元件,还能很好地处理布线间的电磁兼容和芯片间的屏蔽问题。最后介绍了一款新型毫米波三维异质异构集成雷达及其在远距离生命体征探测方面的应用。 相似文献
3.
综述了铁素体与铁素体异种金属焊缝(dissimilar metal welds,DMWs)接头界面组织及其影响。结果表明,在焊后热处理或运行温度下的铁素体钢DMWs接头的不均匀界面组织中,通常会形成脱碳层和增碳层。在铁素体钢DMWs焊接接头界面组织影响因素中,焊缝金属的化学成分有重要影响;焊后热处理规范(温度和时间)、工作温度下运行时间的影响较为突出;焊接工艺参数的影响亦不可忽略。异种钢接头界面处近缝区裂纹的产生,以及接头的蠕变强度随Larson Miller 参数增大而下降等不利影响,均为异种钢界面碳迁移行为所导致。焊缝成分控制法是接头界面组织控制或改善的必要条件,而脱碳层部位转移法能有效防止裂纹发生,亦是接头安全运行的重要工艺措施之一。 相似文献
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8.
<正>据说一颗小行星就蕴藏着价值万亿美元的贵金属稀有元素。那么,人类究竟能否触及它们并开发这些太空岩体呢?这究竟会有多难?在地球上,金、银等贵金属资源日渐匮乏。采矿工作者只能通过复杂精细的努力去开采地下的贵金属矿脉。而对于更为稀有的金属元素,如铂和铱则更难获得,人类有史以来开发出的铂金总量都没有办法填满一个规模不大的地下室。而太空中的小行星并不在少数,一直漂浮在人们周围,它们蕴含着山一样丰富的贵金属元素,却没有办法得到利用。其中,一些含铁镍的小行星是完全的金属体;还有一些含水、泥沙和有机物质的彗星,如果愿意,在上面可以开发出一个沿 相似文献
9.
本文针对市面上常见金属眼镜架的主要成分,利用X射线荧光光谱进行无损检测,测定并分析其中主要成分,并对其进行分类总结。 相似文献
10.