以MOFs为模板制备TMO/C复合材料 在锂离子电池中的应用

商用负极材料石墨理论比容量较低,无法满足市场的需求,发展具有更高比容量的负极材料来替代石墨至关重要.介绍了过渡金属氧化物(TMO)和金属-有机框架(MOFs)的特点及锂离子电池负极材料性能改进的方法,综述了以MOFs为前驱体制备TMO/C复合材料作为锂离子电池负极的优点及研究进展,并对此类负极材料的发展趋势进行了总结与展望.     

多指版图结构对纳米MOSFET阈值特性的影响分析

针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。     

新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。     

用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径

介绍了10Gbit／s速率的甚短距离光传输系统VSR(Very Short Reach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成(OEIC)接收机的可能性和实现方法。     

利用新型场效应管(QFET)的正向变换器

介绍了单端正向变换器基本电路，重点叙述带三路调节DC电压的100KHZ180W离线电源。它采用具有低导电阻RDS和低栅极电荷Qg的新型场效应管（QFET）作为变换电路的主开关器件，降低了电源开关损耗并提高了效率3%-5%。     

负载型氮氧化物净化催化剂及制备

一种负载型氮氧化物净化催化剂及制备属于多相催化技术及其环境保护领域，其特征在于是一种在HZSM-5上负载有含钼和铜双金属氧化物的专门用于柴油车及稀燃汽油机车尾气氮氧化物净化的催化剂，分子表达式为：Cu—Mo／ZSM-5。本发明具有以下优点：1）首创性。Cu—Mo／ZSM-5作为一种新型的用于柴油车及稀燃汽油机车尾气中氮氧化物净化催化剂，尚未见文献和专利报道，2）高活性。在空速为60000～80000h^-1等接近实用条件下，多次对不同Cu／Mo比样品的催化活性进行测试，     

含氮化合物废气选择性催化氧化技术研究进展

通过对当前含氮化合物废气治理技术的对比分析,总结选择性催化氧化的相关技术优势。根据对含氮化合物的种类及来源分析,介绍氨气、腈类、胺类及其他含氮化合物的催化净化技术。重点总结催化剂的种类、研发进展和在实际使用中可能遇到的问题,同时展望含氮化合物废气选择性催化氧化技术的研发方向。