对大气压低温等离子体刻蚀聚合物薄膜的工艺研究

研究了使用两种大气压等离子体射流(APPJ)刻蚀Parylene-C薄膜所产生刻蚀区域的形貌和成分之间的差异。两种APPJ分别由单环电极装置和双环电极装置产生。由单环电极APPJ刻蚀的Parylene-C表面是非均匀的,从刻蚀区域的中心到边缘可分为三部分:区域(I)是中心区域,此处Si衬底严重受损;区域(II)是有效的刻蚀区域;区域(III)是刻蚀边界。与单环电极APPJ相比,双环电极APPJ刻蚀的Parylene的形貌要好得多。特别是在区域(I)中,Si片受到轻微损坏。X射线光电子能谱分析(XPS)结果表明:单环电极APPJ刻蚀区域的O元素原子含量多于双环电极。此外,还研究了两种APPJ的刻蚀速率,相比于双环电极APPJ,单环电极APPJ具有较高的刻蚀速率。     

等离子体刻蚀工艺控制模型分析

讨论了主因素分析法以及神经网络法在等离子体刻蚀工艺中的应用.结果表明主元素分析法可以实现对数据的压缩,而神经网络算法则显示出比传统的统计过程控制算法更好的准确性.     

单片集成电路高台面联线

介绍了ＧａＡｓ ＭＭＩＣ高台面刻蚀制备工艺方法，解决了高低台面联线问题，提高了单片集成电路性能，保证了可靠性。     

钨酸根抑制不绣刚局部腐蚀的机理

用X射线光电子能谱(XPS)研究了AISI304不锈钢在含WO2-4+Cl-的模拟闭塞电池中形成钝化膜的组成与结构及WO2-4抑制其局部腐蚀的机理.研究表明,闭塞区内AISI304不锈钢表面的钝化膜的外层主要为WO2-4、CrO3、CrCl3、FeCl2和FeCl3,此外,还有少量的Ni2O3、Fe2O3、CrO2-4、γ-FeOOH以及Fe(OH)3;溅射5 min时膜内层主要为Cr2O3、CrOOH、Cr(OH)3、FeCl2、FeCl3和WO3,还有少量的WO2和WO2-4.WO2-4对钝化膜的影响在于WO2-4迁入闭塞区后吸附在金属表面,可全部或部分取代吸附在钢表面的Cl-,并与腐蚀产物Fe2+发生氧化还原反应生成Fe3+和WO2,WO2-4与Fe2+、Fe3+反应生成难溶化合物FeWO4和Fe2(WO4)3覆盖在阳极上,形成较耐蚀的保护膜,降低闭塞区内自催化效应速度,从而抑制局部腐蚀的进一步发展.     

催化裂化汽油脱硫助剂TS-01的工业试验

中国石油化工股份有限公司九江分公司在I套催化裂化装置进行了TS—0l催化裂化汽油脱硫双功能助剂的工业应用。结果表明：TS—0l剂对催化裂化汽油有较好的脱硫效果。当TS—0l剂注入原料中的量为70μg／g时，对催化裂化汽油的硫脱除率约为20％；注入量为120μg／g时，硫脱除率可达到25％-30％。汽油中脱除的硫主要以硫化氢形态转移至于气、液化气中。TS—01剂对产品分布及产品其它质量无明显影响，该剂亦有良好的金属钝化效果。     

光刻伺服盘媒体微细加工技术

阐述了光刻伺服盘媒体微细加工实验过程，分析了刻蚀工艺影响磁盘光刻图形的不利因素，实践证明利用半导体微细加工技术光刻伺服盘，能大幅度提高磁道密度，增加磁盘驱动器的容量，是一种先进的可行方法。     

磁增强反应离子刻蚀系统中的发射光谱诊断技术

利用发射光谱诊断技术研究了磁增强反应离子刻蚀系统中ＣＦ４＋Ｏ２的辐射谱、谱线成分及强度，分析了谱线强度与射频福射功率、氧气含量的关系，并与没有磁场存在时的情况作了比较。     

安钢冶金焦改质（钝化）新技术

随着高炉冶炼的不断强化和焦化的逐步降低，对高炉下部透气，透液性有重要影响的焦煤的热性能（热反应后强度CSR和热反应性CRI）愈来愈受到业内人士的重视。     

刻蚀铜薄膜的新技术

日本三井金属公司开发了刻蚀铜薄膜的新技术。此技术采用新型铜薄膜的刻蚀液，保证垂直刻蚀。因而铜线宽度可设计成比以前宽度窄1／3，即20μm。采用此技术可将TFT-LCD电视更轻量化，并降低了成本。     

刻蚀电子线路板废液制取混凝剂研究

电子工业刻蚀电子线路板广泛使用氯化铁溶液 ,其排出液中含有大量铜、镍离子 ,采用铁粉还原的方法能有效地去除镍离子 ,处理后的溶液符合饮用水混凝剂要求 ,可作为水处理混凝剂使用 ,为该类废液提供了综合利用的方法。