钽粉中碳的来源及其对电性能影响的研究

主要介绍了钽粉中碳杂质的来源以及不同碳含量对钽粉电性能的影响,重点分析了不同碳含量对钽粉电性能的影响,并提出了有效控制钽粉中碳杂质含量的建议,以求达到降低钽粉中碳杂质含量的目的。     

微波集成电路（MIC）中Au／NiCr／Ta多层金属膜粗糙化机理的AFM研究

Au/NiCr／Ta多层金属膜通过磁控溅射沉积在Si(111)基片上。XRD分析其晶体取向，SEM观察薄膜断面形貌，AFM研究薄膜表面粗糙度。结果表明薄膜表面粗糙度与沉积温度有关，随着沉积温度100℃→250℃的改变，薄膜表面发生从粗糙→光滑→粗糙的变化过程。根据不同的沉积温度探讨了薄膜表面粗糙化机理。     

Density Measurement of Liquid Ni-Ta Alloys by a Modified Sessile Drop Method

The density of liquid Ni- Ta alloys was measured by using a modified sessile drop method. It is found that the density of the liquid Ni- Ta alloys decreases with the increasing temperature, but increases with the increase of tantalum concentration in the alloys. The molar volume of liquid Ni- Ta binary alloys increases with the increase of temperature ancl tantalum concentration.     

ICP-AES法测定金属镝中钽

利用钽不溶于酸的性质与稀土分离，用焦硫酸钾熔融，酒石酸浸取，制得被测溶液，采用ICP-AES测定其中钽量，结果令人满意。     

钽铌水冶分解提取工艺及设备的进展

介绍了近些年来我国钽铌湿法冶炼中的资源结构，氢氟酸分解、矿浆萃取工艺以及工艺设备的进展情况。比较了主要工艺过程的技术经济指标，指出了当前生产中存在的一些问题，并提出了解决问题的一些意见。     

片式钽电容器的研究现状与发展趋势

综述了近期国内外片式钽电容器的研究现状,并对今后钽电容器的技术发展进行了展望,指出提高电容量或在相同容量下缩小体积,以及改进性能,特别是降低ESR将是今后钽电容器发展的方向,铌电容器的问世将拓宽钽电容器的应用范围,并成为电容器的一个新品种.     

五氧化二钽薄膜的制备及其I-U特性

本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1～ 2 2 ,MIM的I U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度     

ZSD—50型高真空钽烧结炉的研制

本文介绍了一种新型结构的真空烧结炉。通过理论分析及测试证明，炉温均匀，稳定，热效率高。