新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

MEMS移相器及其在微型通信系统中的应用

从传统移相器的构造和原理出发，进一步分析了MEMS移相器的结构、特性。结果表明，MEMS移相器具有传统移相器所无法比拟的体积小、损耗小、成本低、频带宽、易于集成等突出优点。随着高阻硅衬底在微波领域应用的扩展，MEMS移相器介质损耗大幅度降低，将能与信号处理电路一同集成于硅衬底上，便于相控阵雷达等通信系统实现微小型化。     

溶胶—凝胶法制备PCT铁电陶瓷

本文报导了通过溶胶－凝胶法制备Ｐｂ１－ｘＣａｘＴｉＯ３（ｘ＝０．１￣０．３）铁电陶瓷原料粉末，所得粉末具有较高的活性、纯度和均匀度。研究了不同掺ＣａＯ量对晶体结构和烧结温度的影响。在ＰＣＴ晶相生成前未发现有烧绿石或其它过渡晶相的出现。使用该粉末通过１０００￣１２００℃的烧结过程，所得ＰＴＣ陶瓷可达理论密度的８８￣９４％。     

表面稳定模式铁电液晶的电光特性测试

采用一种改进的高分子膜摩擦定向法成功地实现了表面稳定模式铁电液晶的光学双稳态，对比度大于１４０，响应时间达１００微秒。     

PZT多层薄膜物性的研究

对磁控溅射ＰＺＴ铁电多层薄膜进行了分析。结果表明：通过多层薄膜合理的设计和厚度控制，可以改善薄膜进一步的器件应用提供了可能性。通过研究发现，制备多层较理想的溅射条件是衬底温度Ｔ＝６５０℃，薄膜子层厚度约为３００ｎｍ，衬底则以ＭｇＯ（１００）单晶、Ｓｉ２（１００）单晶为佳。结构分析的结果显示出：ＰＺＴ以铁电膜中的晶粒排列整齐，颗粒大小均匀，基本上和衬底成定向织构，膜的角度对多层膜的绝缘性能影响不大，     

PZT／Ni—Zn铁氧体复合材料电磁特性研究

研究了铁电材料ＰＺＴ和铁磁材料Ｎｉ－Ｚｎ铁氧体的复合材料在１￣１０００ＭＨｚ频率范围内的电磁特性。结果表明，ＰＺＴ具有铁电与铁磁共存的双重特性。当与Ｎｉ－Ｚｎ铁氧体复合后，其复合磁导率及复合介电常数均具有可调性，由此可优化设计高吸收电磁波能力的新型复合材料。