离子探针分析锑化铟器件表面沾污

本文描述用离子探针显微分析法研究锑化铟器件表面沽污的情况。研究发现:各工艺过程中采用的容器、化学试剂、去离子水及工作环境,都是杂质沽污的主要来源。离子探针显微分析法促进了工艺的改进,使阳极氧化工序的沾污杂质由13种减少到7种,Na、K和Ca杂质的含量也大大下降。中测腐蚀工序沾污杂质由11～13种减少到4～6种。器件表面沾污的减少使器件性能得到改善,φ2mm器件的阻抗由10kΩ提高到60～70kΩ,成品率也提高一倍左右。     

较大直径、低位错锑化铟单晶的研制

本文简要介绍了用ＴＤＫ－３６单晶炉拉制的较大直径（φ＝２５ｍｍ）、低位错（＜１００ｃｍ￣（－２））的锑化铟单晶的理论和实践。通过对晶体生长室内温场，特别是内外坩埚尺寸的调整及对循环水流量的控制，成功地拉制出较大直径、低位错的锑化铟单晶。     

酸浸提取铟的工艺研究

通过比较不同的浸出剂浸出锑化铟时铟的浸出率,找出合适的浸出剂,并对锑化铟的浸渍工艺进行优化。考察了HNO3浓度、液固比、浸渍时间及浸渍温度4个因素对铟的浸出率的影响。结果表明:锑化铟酸浸提取铟的最佳工艺条件为:HNO3浓度8mol/L,液固比3.5∶1,浸渍时间20min,浸渍温度25℃。在此工艺条件下,铟的浸出率能达到99.5%以上。     

基于InSb-In磁阻元件的液体流量计的设计

设计了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制作而成的液体流量计,该流量计中的转动涡轮由磁钢材料制作,当转动的涡轮叶片靠近InSb-In共晶体薄膜磁阻元件时引起其阻值的变化,进而产生交变信号。经过对信号的处理,单片机进行计数,可以得到瞬时流量和累积流量。本流量计采用西6mm管径设计,实验中采用自来水作为被测液体,每脉冲代表液体流量为0．8776mL,其有效测量量程为0．05—0．5m^3／h,测量误差在±0．4％左右,能满足低流速测量工业现场的使用要求,并能降低制造成本。     

一种基于InSb磁敏电阻器的接近开关

介绍了锑化铟(InSb)磁阻式接近开关的工作原理,设计了信号处理电路,并对其动态性能进行了测试.实验结果表明:径向间距为4 mm时,接近开关动作距离大于8 mm,回差距离小于0.06 mm,重复定位精度优于0.04mm,可适用于工作频率0～5 kHz范围内的铁磁性物质检测.该接近开关灵敏度高,开关动态特性较好,且结构简...     

InSb磁敏无接触电位器

本文介绍半导体InSb磁敏无接触电位器的工作原理、结构、特点、技术特性、封装及应用。     

用于侦察应用的6000元红外焦平面列阵

这里介绍一种6 000元锑化铟(InSb)红外焦平面列阵的设计、体系结构及性能.这种焦平面列阵体系结构允许用其基本元件制作任何一种N×1000元大小的列阵.为了能在穿轨和沿轨两个方向进行有效间距为10μm的21过取样,探测器采用了一种独特的双交错几何图形.这种探测器几何图形除了能以10μm的有效间距进行取样外,还允许使用25μm以下的实际像元尺寸,这样它便可以利用大像元的高信号俘获能力进行无重叠成像.锑化铟探测器是正面照射的P-on-N型台式二极管,它们不会产生明显的串音.互补型CMOS多路传输器是按M×250的分节形式设计的,它具有多达1 000万个电子的满势阱输出,其瞬时动态范围大于14bit,它可以为焦平面列阵提供灵活的低噪声读出.为了提供可用于侦察应用的、可靠且能够生产的长焦平面线列,锑化铟探测器与多路传输器的混成是利用一项取得专利的梁式引线技术完成的.介绍了6 000元红外焦平面列阵的表征,包括二极管的动态阻抗、读出噪声、线性度以及非均匀性等.除了构成焦平面列阵的混成组件的数据外,还介绍了CMOS多路传输器的实测特性.