采用反相方法测试台架测定3．3kV IGCT的特性

采用反相方法测试台架在实际工作条件下，对ABB公司提供的实验性3．3kV IGCT进行了特性测定.这种器件在硬开关运行下的导通损耗非常小，开关损耗也降低了.这就表明一种新型大功率/中电压半导体器件已经问世，它们可以用于较高开天频率(超过1kHz)和大电流工况，以改善大功率变换器的性能.     

集成门极换流晶闸管IGCT

IGCT是在晶闸管技术的基础上结合IGBT和GTO等技术开发的新型器件，适用于高压大容量变频系统中。文中结合IGBT的结构特点，阐述了其优于IGCT、GTO器件的技术特性，给出了由IGCT器件构成的中压变频器的应用电路和技术特点。     

基于漂移扩散模型方程的IGCT电路模型

现有基于双极扩散方程(ADE)的功率半导体器件模型只能准确描述准中性区载流子分布,应用于高压器件建模时精度有限。提出一种基于漂移扩散模型(DDM)的集成门极换流晶闸管(IGCT)电路模型的建模方法以提高模型精度。通过分析发现,求解变量数量级相差较大,以及由高掺杂浓度决定的特征参数是影响模型特性的主要因素。由此,通过边界高掺杂区域的解析建模、简化基区求解的边界条件以及应用移动网格法求解DDM提高了模型的稳定性和计算速度。最后,IGCT双脉冲测试仿真与实验对比结果表明在仿真耗时接近的前提下,该方法相对于现有基于ADE模型可以更好地仿真器件在关断振荡以及穿通时的特性。     

新型高压大功率器件IGCT的建模与仿真

集成门极换向晶闸管(IGCT)是新型电力半导体开关,具有耐压高、电流大、开关频率高、开关损耗低等优越性能,尤其适用于高压大功率电力电子装置.目前通用电路仿真软件中还没有专门的IGCT仿真模型,不能满足可靠的仿真性能的要求.基于电力电子器件的物理现象,建立IGCT模型的方法有:功能模型法、电学模型法、集总电荷模型法和物理模型法等.对上述几种建模方法分别进行了仿真研究后,对比分析各模型开关动作过程和器件内部物理现象,比较它们之间的优缺点,分析出各种模型的适用范围.     

节省空间的通用型4.5kV和6.5Kv1GBT模块

正进一步丰富高压IGBT门极驱动核产品系列,新的高压产品系列为牵引及其他高压应用领域的设计者提供了新选择。Power Integrations旗下子公司IGBT驱动器制造商CT-Concept Technologie GmbH为耐压为4.5 kV和6.5 kV的IGBT模块推出1SC0450V单通道驱动核。这款高度紧凑的新产品只需要使用一个驱动核即可实现IGBT的并联,从而进一步减小系统尺寸和提高可靠性。1SC0450V是CONCEPT高压门极驱动核产品系列的新成员,它基于该公司的SCALETM-2芯片组设计而成,是一款无局部放电现象、具有低耦合电容的高压DC-DC变压器。     

4.5kV/4.0 kA IGCT功率相单元测试平台设计

作为一个新型电力电子器件,集成门极换向晶闸管(IGCT)在大功率高压变流器中得到了广泛的应用.本文介绍了一个4.5kV/4.0kA IGCT功率相单元测试平台工作原理和实验方案,并且在不同电流电压下对IGCT进行了几组通断实验,给出了测试波形.实验结果充分说明了该IGCT功率相单元测试平台的合理性和可行性,为IGCT进一步研究打下基础.     

变流器辅助换流的柔性切换开关拓扑与控制

分布式新能源渗透率的快速提高,在提升配电网灵活性的同时也加大了其运行调控难度。为此,文中提出一种新型配电网柔性切换开关设备,开关由集成门极换流晶闸管(integrated gate-commutated thyristor,IGCT)与并联电压型变流器组成,其中针对并联电压型变流器采取虚拟同步发电机控制,可实现负载在不同馈线间的平稳切换。文中首先将所提柔性切换开关与柔性多状态开关及机械开关的主要特征进行比较;然后,分析柔性切换开关在故障前、故障中和故障后的工作模式,并研究在3种工作模式间进行柔性切换时的切换逻辑;最后,通过基于RT-Lab的控制在环实验模拟开关在不同馈线间切换的过程,获得不同工作模式下和柔性切换过程中的电压电流波形。实验结果表明柔性切换开关具有短时电压支撑能力,在不同馈线间切换的过程中不产生电压电流冲击。     

国内外电力电子器件发展现状

简要回顾了电力半导体器件的发展历史。对光控晶闸管(LTT)、集成门极换向晶闸管(IGCT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及反向开关两端晶闸管(RSD)等新型器件的工作原理、现状做了介绍。指出电力半导体是电力电子技术的基石．离开他们．电力电子技术将是无米之炊。     

IGBT门极驱动电路的研究

ＩＧＢＴ模块的开关性能取决于门极驱动电路的特性和外部直流回路的电感。本文讨论了这些参数对开关损耗，二极管恢复，瞬态开关电压，短路运行及ｄｖ／ｄｔ的感应电流的影响，这将有助于研究人员正确地使用ＩＧＢＴ。