晶体生长炉坩埚旋转控制系统的研制

目前，大体积高质量晶体材料的制备为国防高技术装备所急需。作为一种新型室温核辐射探测器材料——CdZnTe(CZT)备受瞩目。CZT单晶是一种三元化合物半导体，主要用来制作探测器，其特点在于禁带宽度大，电阻率高，平均原子序数高，对核辐射射线的阻止本领强，在外加偏压情况下漏电流小，是一种理想的室温核辐射探测器新材料。但生长此种单晶在我国还处在研发阶段，有待对其生长条件进行大量的试验和探索。为了生长优质高阻单晶，根据单晶生长理论和坩埚旋转规律与流动稳定性之间的关系可知，坩埚在温度场中旋转时，梯形波是晶体生长最理想的旋转波形。但如何实现梯形波旋转，什么样的梯形波最适合单晶生长，就成了亟待研究的课题。     

用共振核反应~(27)Al(p,γ)~(28)Si和SOS样品研究质子在固体Si中能损的同素异形效应

本文首次用具有衬底的薄膜Si样品SOS和共振核反应~(27)Al(p,γ)~(26)Si,于能量E_p=774keV和992keV,系统地研究了质子在固体中能损的结构效应问题。实验结果表明,对于MeV级的质子束,在Si元素固体的单晶、多晶、非晶中电子阻止本领有明显的差别,相对偏差至少大于5％,这个实验的测量误差小于3％。     

用Columnar模型对电子空穴对复合逃逸产额的模拟计算

用一种比较简单的Jaffe近似方法计算了质子在SiO2中的电子空穴对的逃逸率,讨论了辐照偏置、电场、质子入射角度、质子能量等对逃逸产额的影响.得到了电子空穴对复合逃逸率与质子能量、电场成正比的结果.计算结果与实验结果的比较,说明了Jaffe近似方法可以比较正确地描述质子在二氧化硅中的总剂量效应.     

超热电子磁谱仪的研制及标定

研制了超热电子磁谱仪,介绍了谱仪的工作原理、设计思想、结构和主要技术指标。用137Csγ标准源对LiF热释光探测器(TLD)的离散性、重复性、灵敏度因子及线性吸收系数进行了测量。使用90Srβ源对谱仪进行了标定。     

用Columnar模型对电子空穴对复合逃逸产额的模拟计算

用一种比较简单的 Jaffe近似方法计算了质子在 Si O2 中的电子空穴对的逃逸率 ,讨论了辐照偏置、电场、质子入射角度、质子能量等对逃逸产额的影响 .得到了电子空穴对复合逃逸率与质子能量、电场成正比的结果 .计算结果与实验结果的比较 ,说明了 Jaffe近似方法可以比较正确地描述质子在二氧化硅中的总剂量效应 .     

1—6MeV的^7Li离子在固体C,Al,Cu,Ag,Au和Pb薄膜中的阻止本领

报道了１－６ＭｅＶ的＾７Ｌｉ离子在固体Ｃ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ和Ｐｂ薄膜中的阻止本领的测量结果。数据误差小于６％。     

中能重离子碰撞中同位旋对核阻止本领的影响

采用同位旋相关的量子分子动力学模型研究了中能重离子碰撞中核阻止本领Qzz/A和R对系统大小、初始N/Z比、同位旋对称势以及两体散射截面的介质修正等的依赖关系。研究表明,初始N/Z和同位旋对称势对阻止本领的影响很弱,Qzz/A和R的激发函数依赖于两体散射截面的介质修正和核物质状态方程。我们的研究指出,Qzz/A和R的激发函数能提供关于两     

1－6MeV的~7Li离子在固体C、Al、Cu、Ag、Au和Pb薄膜中的阻止本领

报道了１—６ＭｅＶ的７Ｌｉ离子在固体Ｃ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ和Ｐｂ薄膜中的阻止本领的测量结果。数据误差小于６％。     

一个质子阻止本领通用计算公式的修正

对非相对论重离子在固体中的电子阻止本领的一个通用计算公式进行了修正，计算了质子在不同原子序数靶材料中的电子阻止本领，并与ＴＲＩＭ程序的计算结果进行了比较，两者符合较好。     

γ射线空气比释动能空腔理论计算值准确度的蒙特卡罗研究

当使用基于空腔理论的石墨空腔电离室绝对测量γ射线空气比释动能时,需要考虑空腔体积的大小变化对测量结果准确度的影响。利用EGSnrc程序计算得到10～5 000 cm~3的球型石墨空腔电离室的石墨和空气的限制的阻止本领比■、入射光子与空腔气体直接作用沉积能量的份额F_(air)和Spencer-Attix空腔理论修正因子k_(SA)。结果表明对于~(60)Co和~(137)Cs能量的光子,在计算■时选择合适的?值可以使k_(SA)的值保持在0.998～1.000之间。此外k_(SA)的大小随空腔体积的增大有逐渐减小的趋势。表明在设计和使用较大体积(≥50 cm~3)的石墨空腔电离室时需要考虑合适大小的k_(SA)值,以保证空腔理论计算值和绝对测量结果的准确。