浮长线修剪类色织小提花新产品开发

介绍几款以棉、毛色纱作经纬的浮长线修剪类色织服用新产品.全棉纬修背产品"霞间织霓裳"产品以多色彩纬连续多根织入构成块面纹,浮长线沉背,织物正面地纬呈曲线形态;涤棉混纺纬修花产品"风的颜色"采用花式纱线以粗线条几何纹起花,较长的浮长线留在织物正面,修剪并捋直浮长线,错落有致的流苏随风摇曳、富有立体动感;全毛经修花产品"静夜小雨滴"彩经采用交织、长短经浮长线方法以点、线结合方式形成沿纵向交错排列,修剪后产生静夜中雨滴串珠的艺术效果;全棉经纬修花产品"纵横天地"利用彩经、彩纬双向交织起长方形模块纵横组合纹,将彩经模块表面的彩纬浮长线、彩纬模块表面的彩经浮长线修剪,留出短短纱头,表现天纵地横、色彩绚丽的景象.     

基于上机工艺的经起小提花织物构图设计研究

多臂织机上开发经起花产品,彩、地经分别使用不同综框,在有限的用综条件下,需要通过上机工艺的变化设计,解决构图单调的问题.为此分别以单、双彩经起花为例,在分析上机工艺基础上,以图解形式,提出了利用穿综、纹板排列实现的四种构图变化方法.结果 表明:变化彩经重复穿综次数、变化纹板排列重复次数可以使基础图形产生形变,增加构图的趣味性;将基础穿综与纹板图分区段拆分重组,可以使丰富构图效果;将甲、乙彩经换位穿综可以产生相同构图不同色彩的效果;将甲、乙彩经的穿综起点、纹板起点错开位置可以产生多种不同的构图效果.     

多指版图结构对纳米MOSFET阈值特性的影响分析

针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。     

石墨烯场效应晶体管研究进展

石墨烯具有优异的光、电、热及机械性能,在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET在模拟电路和数字电路中的研究进展,分析了目前存在的问题:模拟电路主要应该提高GFET的最大振荡频率(f_(max))使之与截至频率(f_T)相符;数字电路主要应该采取有效方法打开石墨烯带隙、提高开关比,并介绍了通过构建石墨烯纳米带、双层石墨烯、掺杂法及通过基底影响等来打开带隙的方法。与数字电路相比,GFET在模拟电路中更具有应用潜力,如在太赫兹领域已表现出优异的性能。石墨烯和硅互为补充,以混合电路的形式加以应用也是一个很好的切入点。     

异质结光晶体管的研究与进展

回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。     

半导体传感器在生物分析科学中的应用(英文)

回顾了半导体生化传感器 (ISFET 和 LA PS)在医学监测、免疫检测、免疫分析、D N A 杂交以及细胞培养等方面应用的进展。为使半导体器件适用于生化检测,对其中所采用的检测手段和取得的研究结果进行了分析。展望了通过与微流体网络相结合,基于半导体传感器的实验室芯片化的可行性。     

铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。