三极管在电路中工作状态的判断

在模拟电子技术学习过程中,三极管工作在放大状态还是饱和、截止状态,如何判断,对于学生来说是一个难点。本文根据三极管三种工作状态所要满足的条件,通过比较三个电极的对地电位,给出了判定三极管工作状态的方法。     

晶体三极管的物理模拟等效电路

从晶体三极管内部载流子运动规律出发,深入浅出地导出了晶体三极管的物理模拟等效电路,并举例说明其应用。     

图解等离子彩电的电源电路维修技巧(中)

②此外,NPN型晶体管集电极c和发射极e之间的正、反向阻值均为无穷大,根据检测结果进行判断。若集电结(b-c极)的正向阻值与发射结(b-e极)的正向阻值基本相同,且其反向阻值均为无穷大,则可判定该晶体管性能良好:若所测结果与上述情况不符合,则     

三极管应用及其检测

用结偏置的判定法、电流关系判定法和电位判定法三种方法来判定晶体三极管的工作状以及三极管的检测方法。     

异质结位置对缓变集电结SiGe HBT性能的影响

研究了npn型SiGe HBT集电结附近的异质结位置对器件性能的影响.采用Taurus-Medici 2D器件模拟软件,在渐变集电结SiGe HBT的杂质分布不变的情况下,模拟了各种异质结位置时的器件直流增益特性和频率特性.同时比较了处于不同集电结偏压下的直流增益和截止频率.分析发现即使没有出现导带势垒,器件的直流和高频特性仍受SiGe层中性基区边界位置的影响.模拟结果对SiGe HBT的设计和分析都具有实际意义.     

基础元件介绍——晶体三极管

晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。从外表上看两个N区(或两个P区)是对称的,实际上发射区的掺杂浓度大,集电区掺杂浓度低,且集电结面积大,基区要制造得很薄,厚度约在几个微米至几十个微米。如图1从三个区引出相应的电极,分别为     

集电结电容CBC对HBT功率放大器非线性的影响

GaAs HBT是设计微波单片功率放大器的主要工艺之一,而集电结电容C_(BC)是HBT功率放大器产生非线性的主要参量.文中采用Gummel-Poon晶体管模型分析了HBT C_(BC)随电路偏置变化的规律,给出了C_(BC)随输入功率的变化趋势,并基于Microwave Office软件进行了仿真验证.理论分析及仿真...     

压装IGBT可靠性试验

本文提供了一类全新型无焊压装IGBTs的机械和电气可靠性的大量试验结果。实验内容包括：振动，冲击，热循环，也包括集电结和发射结和门的电疲劳使用期限。实验证明该类器件可用于可靠性要求高和寿命要求长的应用场合。     

使用DT9205数字式万用表测量晶体三极管的方法

数字万用表外观图如图1所示。由于数字式万用表体积小巧,便于观察数据,使用和携带较为方便,越来越多的被广大的电子行业的从业人员和电子爱好者所使用。     

IGBT发展概述

本文概述了IGBT自发明以来主要的结构改进和相应的性能改进。包括芯片集电结附近（下层）结构改进（透明集电区）、耐压层附近（中层）结构改进（NPT、FS／SPT等）和近表面层（上层）结构改进（沟槽栅结构、注入增强结构等），以及由它们组合成的NPT—IGBT、TrenchIGBT、FS—IGBT、Trench FS-IGBT、SPT、SPT＋、IEGT、HiGT、CSTBT等。