全文获取类型
收费全文 | 776篇 |
免费 | 15篇 |
国内免费 | 102篇 |
专业分类
电工技术 | 34篇 |
综合类 | 35篇 |
化学工业 | 38篇 |
金属工艺 | 12篇 |
机械仪表 | 19篇 |
建筑科学 | 34篇 |
矿业工程 | 1篇 |
能源动力 | 127篇 |
轻工业 | 6篇 |
水利工程 | 2篇 |
石油天然气 | 2篇 |
无线电 | 394篇 |
一般工业技术 | 154篇 |
冶金工业 | 8篇 |
原子能技术 | 7篇 |
自动化技术 | 20篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 5篇 |
2022年 | 1篇 |
2021年 | 10篇 |
2020年 | 7篇 |
2019年 | 5篇 |
2018年 | 2篇 |
2017年 | 16篇 |
2016年 | 13篇 |
2015年 | 14篇 |
2014年 | 19篇 |
2013年 | 19篇 |
2012年 | 36篇 |
2011年 | 60篇 |
2010年 | 42篇 |
2009年 | 72篇 |
2008年 | 53篇 |
2007年 | 39篇 |
2006年 | 25篇 |
2005年 | 33篇 |
2004年 | 28篇 |
2003年 | 28篇 |
2002年 | 19篇 |
2001年 | 20篇 |
2000年 | 10篇 |
1999年 | 18篇 |
1998年 | 10篇 |
1997年 | 36篇 |
1996年 | 32篇 |
1995年 | 16篇 |
1994年 | 21篇 |
1993年 | 22篇 |
1992年 | 41篇 |
1991年 | 41篇 |
1990年 | 34篇 |
1989年 | 34篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有893条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
用化学气相沉积法制备了液晶光阀中光电导层———非晶硅薄膜,从实验中得出最佳制备工艺的参数取值。给出了用包络线法测量非晶硅薄膜光吸收系数的原理,测量了样品的光吸收系数随波长的变化规律。得到样品在最佳工艺条件下的光吸收系数高于1×103cm-1。 相似文献
2.
3.
4.
本文对激光结晶a-Si∶H SOI结构砷注入和快速退火行为作了研究.a-Si∶H激光结晶有Lp-LCR,OD,FCR-2,FCR-1四个结晶区.用剖面电镜观察了结晶区的结构.扩展电阻测量表明Lp-LCR区中有两种扩散机制,即杂质在晶粒体内扩散和沿缺陷扩散.OD区中有三种扩散形式,除有上述两种以外,还有沿缺陷的扩散.首次比较了沿晶界和缺陷的扩散速度. 相似文献
5.
颜一凡 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):289-291
证明了分配系数d是气相浓度Xp(g)的解析函数,其系数由a-Si:H生长期间界面上固/气相平衡反应常数决定。d这种性质致磷掺杂固相效率可藉助Xp(g)进行解析计算。 相似文献
6.
本文研究了采用锁定放大相干检测技术的等离子体光发射谱检测系统。用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。分析了检测结果和刻蚀机理。 相似文献
7.
本文对氧化非晶硅磷掺杂的工艺条件进行了研究,得出掺磷氢化非晶硅的电导率随衬底温度、气体流量、气体压力、射频功率、淀积时间的变化关系,为非晶硅的有效掺杂和器件研究提供了依据。 相似文献
8.
氢化非晶硅中空穴与电子的俘获效应:PIN型非晶硅太阳能电池稳… 总被引:1,自引:1,他引:0
林鸿生 《固体电子学研究与进展》1994,14(2):127-135
通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对经高强度光辐照过的PIN型非晶硅太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明,载流子俘获效应所造成的a-Si:H中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布发生改变和准中性区的出现,使电池性能因光的长期辐照而衰退。本文还讨论了a-Si:H中载流子俘获效应的研究在高稳定性PIN型非晶硅太阳能电池研制中的重要性。 相似文献
9.
本文着重对微波等离子体化学气相沉积法高速沉积的 a-Si∶H 膜的物理性能进行评价研究.测量了沉积膜的光电性能、暗电导激活能、光禁带宽度、光吸收特性、沉积膜中悬键态密度以及氢含量等,并讨论沉积条件对膜性能的影响.结果表明,在沉积速率高达30~90(?)/s 情况下,膜的光电导(光照强度10~5Lux)与暗电导比值可达10~3~10~5,暗电导率从10~(-3)到10~(-11)((?)cm)~(-1),其激活能在0.23~0.88eV 之间(0~200℃温度范围内),光禁带宽度为1.40~2.20eV,氢含量约为2~20%. 相似文献
10.