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1.
2.
为了提高微驱动器的性能,提出了一种在氧化铟锡(ITO)玻璃上加工高深宽比SU-8微结构的方法.在导电玻璃的ITO层上涂覆一薄层AZ-4620正光胶,用常规的接触式曝光法,将光刻掩模上的二维图形转移到AZ-4620光胶层上,显影后利用ITO玻璃的导电性,在AZ-4620光胶曝光处电沉积镍,原掩膜图形可保真地转移到ITO玻璃表面的镍镀层上,使紫外光透过ITO玻璃基底进行反面曝光,从而保证了光刻掩模与SU-8光胶层间的完全接触,消除了厚光胶层表面不平在曝光时的散射和基片材料的反射影响,成功制备了深宽比为16、侧壁垂直度为89.5°的微结构.本方法使用设备简单,加工成本低. 相似文献
3.
从理论上分析与论证了平砧拔长矩形截面毛坯只有砧宽比(W/H)一个工艺参数是不足的,认为应增加,个工艺参数料宽比(B/H),才能正确描述拔长毛坯中心区域的应力状态与有效控制锻件质量。该理论已被实验验证。 相似文献
4.
5.
便携式仪器的飞速发展,迫切要求有能够快速充电的电池充电器,采用MAX712/713芯片制作的充电器可镉镍/镍氢电池进行快速安全的充电,适用于移动电话,无绳电话,手提式摄录像机,笔记本电脑,便携式电子仪器等的电池充电。 相似文献
6.
7.
离子束刻蚀碲镉汞的沟槽深宽比改进 总被引:1,自引:1,他引:0
高深宽比离子束刻蚀技术是实现碲镉汞红外焦平面探测器的关键工艺技术.国内应用最广泛的双栅考夫曼刻蚀机束散角较大,沟槽深宽比较低.针对Ar离子束刻蚀机,尝试了三种提高深宽比的方法:选择不同的光刻胶做掩模、改变刻蚀角度和使用三栅离子源,并通过扫描电子显微镜(SEM)观察了碲镉汞刻蚀图形的剖面轮廓并计算了深宽比.分析了这些工艺方法对刻蚀图形轮廓的影响,获得了一些有助于获得高深宽比的离子束刻蚀沟槽的实验结果. 相似文献
8.
为了方便织针工艺参数制定,以织针圆钢丝压扁体积不变、压扁后截面尺寸比例以及鼓形截面曲线为椭圆的假设,推导出钢丝压扁前圆直径d、压扁后宽度b和厚度a的计算公式,并与实际生产参数进行对比.提出:根据针织机用针生产时圆丝压扁后截面尺寸比例i、压扁前直径d、压扁后宽度b和厚度a推导径厚比j、径宽比k,并建立数表,可供织针制造者参考. 相似文献
9.
针对AZ31镁合金材料,研究了在A—TIG焊中单一成分的活性剂对焊缝成形的影响。试验结果表明,与无活性剂的焊缝相比,活性剂TiO2、SiO2、Cr2O3、CdCl2和CaCl2能够有效地增加镁合金焊缝的熔深和深宽比。镁合金涂敷活性剂CdCl2后焊缝接头的微观组织与未涂敷时焊缝接头的微观组织没有明显区别,只是前者热影响区稍宽。未涂敷活性剂和涂敷CdCl2的试样硬度值分布相差不大。在AZ31镁合金的焊接中,活性剂CdCl2的作用效果最好。 相似文献
10.